[发明专利]涂层材料的涂布方法无效
| 申请号： | 200910195840.7 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102019266A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 章国伟;张尔飚;吴欣华;刘贵娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D7/00;B05D7/24;B05C11/02;B05C11/08;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涂层 材料 方法 | ||
1.一种涂层材料的涂布方法，包括：
提供半导体晶片；
向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；
旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；
继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；
再次旋转所述半导体晶片。
2.如权利要求1所述的涂布方法，其特征在于，所述涂层材料是光刻胶。
3.如权利要求2所述的涂布方法，其特征在于，所述半导体晶片的边缘区域是靠近该半导体晶片侧边3mm的区域。
4.如权利要求3所述的涂布方法，其特征在于，所述半导体晶片边缘区域的部分区域是靠近该半导体晶片侧边1.5mm的区域。
5.如权利要求4所述的涂布方法，其特征在于，向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒的清洗液的体积为5～25ml。
6.如权利要求5所述的涂布方法，其特征在于，以第一速率旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层。
7.如权利要求6所述的涂布方法，其特征在于，以第一速率旋转所述半导体晶片之前，还包括：
以小于所述第一速率的第四速率旋转所述半导体晶片。
8.如权利要求7中任意一项所述的涂布方法，其特征在于，以第二速率继续旋转所述半导体晶片，其中所述第二速率小于所述第一速率。
9.如权利要求8所述的涂布方法，其特征在于，以第三速率再次旋转所述半导体晶片，其中所述第三速率大于所述第二速率并小于所述第一速率。
10.如权利要求9所述的涂布方法，其特征在于，向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料。
11.如权利要求10所述的涂布方法，其特征在于，在向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料之前，还包括：
向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒表面活性剂；
以第五速率旋转所述半导体晶片。
12.如权利要求11所述的涂布方法，其特征在于，以第六速率旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料。
13.如权利要求1所述的涂布方法，其特征在于，所述涂层材料是聚酰亚胺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910195840.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：波束扫描阵列天线
- 下一篇：一种生态屋的扩限流保护电路
