[发明专利]涂层材料的涂布方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种涂层材料的涂布方法。

背景技术

半导体制造工艺中，通过一系列的光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积、平坦化以及清洗等工艺在半导体晶片上形成具有各种功能的集成电路，其中，用于定义刻蚀或掺杂区域的光刻工艺起着十分重要的作用。

在光刻工艺中，首先，通过旋涂设备在半导体晶片上形成光刻胶层；然后，将所述光刻胶层进行烘烤后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，以将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着，对曝光后的光刻胶层进行曝光后烘烤，并通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图形。

一般的，用以形成光刻胶层的涂布方法包括如下步骤：

首先，需要将半导体晶片放置于旋涂设备的晶片支撑台上，通过真空吸附所述半导体晶片；

然后，将光刻胶喷头移动至所述半导体晶片的上方，所述半导体晶片处于静止状态，所述光刻胶喷头向所述半导体晶片表面喷洒光刻胶；

接着，通过马达驱动所述晶片支撑台旋转，所述晶片支撑台带动所述半导体晶片以较小的速率旋转，使光刻胶沿所述半导体晶片表面向外铺开，并覆盖整个半导体晶片的表面；

最后，以较大的速率继续旋转所述半导体晶片，使多余的光刻胶被甩出所述半导体晶片之外，并使光刻胶中的溶剂挥发，以在所述半导体晶片表面形成光刻胶层。

然而，在半导体晶片旋转的离心力的作用下，最终形成的光刻胶层的表面大致呈凹形，也就是说，所述半导体晶片的边缘区域聚集较多的光刻胶，而中央区域则较少，使得所述半导体晶片边缘区域的光刻胶层厚度比中央区域的光刻胶层厚度大，这极易导致光刻胶沿半导体晶片的侧边流向半导体晶片的背面而造成污染，并且所述半导体晶片还会对曝光机台的载片台造成污染，更为严重的是，半导体晶片表面的边缘较厚的光刻胶还将影响曝光工艺的线宽，使得在靠近半导体晶片侧边3mm范围内的产品的良率严重下降。

同样，利用所述旋涂设备在半导体晶片上形成其它涂层的过程中，例如在聚酰亚胺的涂布工艺中，在半导体晶片的旋转的离心力的作用下，形成的聚酰亚胺层的厚度也是不均匀的，半导体晶片的边缘区域的聚酰亚胺层厚度比中央区域的聚酰亚胺层的厚度大，这将影响后续的曝光工艺，给工艺生产带来巨大的损失。

发明内容

本发明提供一种涂布方法，所述涂布方法可以形成厚度均匀性较好的涂层，解决了半导体晶片边缘区域较厚的涂层对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种涂层材料的涂布方法，包括如下步骤：提供一半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片的边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。

可选的，所述涂层材料是光刻胶。

可选的，所述半导体晶片的边缘区域是靠近该半导体晶片侧边3mm的区域，所述半导体晶片边缘区域的部分区域是靠近该半导体晶片侧边1.5mm的区域，向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒的清洗液的体积为5～25ml。

可选的，以第一速率旋转所述半导体晶片以在该半导体晶片表面形成涂层。

可选的，以第一速率旋转所述半导体晶片之前，还包括：以小于所述第一速率的第四速率旋转所述半导体晶片。

可选的，以第二速率继续旋转所述半导体晶片，其中所述第二速率小于所述第一速率，以第三速率再次旋转所述半导体晶片，其中所述第三速率大于所述第二速率并小于所述第一速率。

可选的，向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料。

可选的，在向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料之前，还包括：向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒表面活性剂；以第五速率旋转所述半导体晶片。

可选的，以第六速率旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片表面的中央区域喷洒涂层材料。

可选的，所述涂层材料是聚酰亚胺。

与现有技术相比，本发明提供的涂层材料的涂布方法具有以下优点：

本发明在半导体晶片表面形成涂层之后，继续旋转该半导体晶片，并且同时向该半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液，所述清洗液可去除该半导体晶片边缘区域的部分区域内的涂层，接下来再次旋转该半导体晶片，使该半导体晶片边缘区域的未被清洗掉的较厚的涂层材料向所述已被清洗液清洗过的区域流动，进一步进行平坦化，可形成厚度均匀性较好的涂层，解决了半导体晶片边缘区域较厚的涂层对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。