[发明专利]分析半导体产品的基准良率值的方法

权利要求书

1.分析半导体产品的基准良率值的方法，包括：

选取一定数量的所述半导体产品，测量每个所述半导体产品的良率值并将其存入第一存储单元；

第一数据计算单元根据所述第一存储单元内的数据，计算选取的所有所述半导体产品的良率平均值和标准方差，得到所述半导体产品第一良率平均值和所述半导体产品第一标准方差，用所述半导体产品第一良率平均值减去所述半导体产品第一标准方差的第一正常数倍，得到所述半导体产品第一正常良率的下限值；

第一修正单元去除良率值小于所述半导体产品第一正常良率的下限值的半导体产品以及所述第一存储单元内对应的良率值，所述第一数据计算单元根据所述第一存储单元内剩余的数据，计算剩余半导体产品的良率平均值和标准方差，得到所述半导体产品第二标准方差，用所述所述半导体产品第二良率平均值减去所述所述半导体产品第二标准方差的第一正常数倍，得到所述半导体产品第二正常良率的下限值；

所述第一存储单元、第一数据计算单元和第一修正单元重复上述对半导体产品的良率值存储、计算和修正，直到得到收敛的所述半导体产品第N正常良率的下限值，即所述半导体产品第N正常良率的下限值与所述半导体产品第N-1正常良率的下限值相等时，对应的所述半导体产品第N良率平均值为所述半导体产品的基准良率值。

2.如权利要求1所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，所述第一正常数为正整数。

3.如权利要求2所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，所述第一正常数为3。

4.如权利要求3所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，选取的所述半导体产品的数量为300以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，所述半导体产品为晶圆，所述晶圆上具有晶粒。

6.如权利要求5所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，还包括：

将所述晶圆基准良率值所对应的剩余晶圆进行叠图，计算晶圆每一位置上的晶粒的良率值并将其存入第二存储单元；

第二数据计算单元根据所述第二存储单元内的数据，计算所有晶粒的良率平均值和标准方差，得到晶粒第一良率平均值和晶粒第一标准方差，用晶粒第一良率平均值减去晶粒第一标准方差的第二正常数倍，得到晶粒第一正常良率的下限值；

第二修正单元去除良率值小于晶粒第一正常良率的下限值的晶粒以及所述第二存储单元内对应的良率值，所述第二数据计算单元根据所述第二存储单元内剩余的数据，计算剩余晶粒的良率平均值和标准方差，得到晶粒第二标准方差，用晶粒第二良率平均值减去晶粒第二标准方差的第二正常数倍，得到晶粒第二正常良率的下限值；

所述第二存储单元、第二数据计算单元和第二修正单元重复上述对晶粒的良率值存储、计算和修正，直到得到收敛的晶粒第N正常良率的下限值，即晶粒第N正常良率的下限值与晶粒第N-1正常良率的下限值相等时，对应的晶粒第N良率平均值为晶粒基准良率值。

7.如权利要求6所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，所述第二正常数为正整数。

8.如权利要求7所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，所述第二正常数为3。

9.如权利要求1至4中任一项所述的分析半导体产品的基准良率值的方法，其特征在于，所述半导体产品为晶粒，多个所述晶粒位于晶圆上。