[发明专利]介质层的减薄方法

权利要求书

1.一种介质层的减薄方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成介质层；

采用化学机械抛光工艺减薄介质层的第一厚度；

采用等离子体刻蚀工艺减薄介质层的第二厚度，所述减薄第二厚度后的介质层均一性高于所述减薄第一厚度后的介质层。

2.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述衬底为多层基片、分级基片、绝缘体上硅基片、外延硅基片、部分处理的基片、图案化或未被图案化的基片。

3.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述介质层为金属前介质层或者是层间介质层。

4.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述介质层为单一覆层或者为多层堆叠结构。

5.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述第一厚度为介质层厚度的1/4至2/3。

6.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述化学机械抛光工艺减薄介质层的具体参数为：选用SiO₂抛光液，抛光液的PH值为10至11.5，抛光液的流量为120毫升每分钟至170毫升每分钟，抛光工艺中研磨垫的转速为65转每分钟至80转每分钟，研磨头的转速为55转每分钟至70转每分钟，抛光工艺的压力为200帕至350帕。

7.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述第二厚度为介质层厚度的1/4至2/3。

8.如权利要求1所述的介质层的减薄方法，其特征在于，所述采用等离子体刻蚀工艺减薄介质层的具体参数为：刻蚀设备腔体压力为25毫托至80毫托，静电吸盘冷却气体气压为7托至15托，射频功率为300瓦至600瓦，C4F8流量为每分钟10标准立方厘米至每分钟30标准立方厘米，CO流量为每分钟50标准立方厘米至每分钟200标准立方厘米，Ar流量为每分钟200标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米，O2流量为每分钟10标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米。