[发明专利]具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法无效
| 申请号： | 200910197073.3 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101692436A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 混合 应变 衬底 制备 方法 | ||
1.一种具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一锗硅层与支撑衬底，所述第一锗硅层具有第一晶向，支撑衬底具有第二晶向；
在第一锗硅层中形成生长窗口，所述生长窗口贯穿至下方的支撑衬底；
在生长窗口侧壁的表面形成侧墙；
在生长窗口中外延生长第二锗硅层，所述第二锗硅层与支撑衬底具有相同的第二晶向；
抛光第一与第二锗硅层，使第一锗硅层与第二锗硅层的表面处于同一平面；
注入氧离子至半导体衬底中并退火，以形成连续的绝缘埋层；
在第一锗硅层表面生长具有第一晶向的第一应变硅层，并在第二锗硅层表面生长具有第二晶向的第二应变硅层。
2.根据权利要求1所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，所述半导体衬底中进一步包括隔离层，所述隔离层设置于支撑衬底与第一锗硅层之间。
3.根据权利要求2所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，所述隔离层和侧墙的材料为非晶体。
4.根据权利要求2所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，所述隔离层和侧墙的材料为绝缘材料。
5.根据权利要求2至4任意一项所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，所述隔离层和侧墙的厚度大于20nm。
6.根据权利要求2所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，在第二锗硅层的下方注入氧离子以形成绝缘埋层，氧离子的注入位置与隔离层的位置水平，以保证形成的绝缘埋层能够和隔离层连成一体。
7.根据权利要求1所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，所述第一锗硅层的厚度大于100nm。
8.根据权利要求1所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，所述第一晶向为(100)晶向，第二晶向为(110)晶向，或者第一晶向为(110)晶向而第二晶向为(100)晶向。
9.根据权利要求1所述的具有绝缘埋层的混合晶向应变硅衬底制备方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：
在第一应变硅层与第二应变硅层的界面处形成沟槽；
在沟槽中填充非晶材料，以形成浅沟槽隔离结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
