[发明专利]掩模图形校正方法以及掩模版制作方法有效

专利信息
申请号: 200910197089.4 申请日: 2009-10-13
公开(公告)号: CN102043325A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 李承赫;杨青 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 图形 校正 方法 以及 模版 制作方法
【权利要求书】:

1.一种掩模图形校正方法,包括:

对待校正图形进行光学邻近校正,获得校正图形;

根据所述校正图形,获得与其对应的工艺窗口;

比较所述工艺窗口与设定值;

当所述工艺窗口小于所述设定值时,对所述校正图形重复上述校正,直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时,校正完成。

2.如权利要求1所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述对待校正图形进行光学邻近校正获得校正图形,包括:

获得光学曝光模型;

采用所述光学曝光模型,对所述待校正图形进行模拟曝光,以获得对应的模拟曝光图形;

比较所述待校正图形以及其对应的模拟曝光图形,并根据所述比较结果,对所述待校正图形进行单次光学邻近校正。

3.如权利要求1所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述将工艺窗口与设定值进行比较还包括:根据光刻设备的曝光条件和光刻要求,设置设定值。

4.如权利要求1所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述工艺窗口为焦深。

5.如权利要求4所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述设定值为0.15微米至0.35微米。

6.一种应用如权利要求1-5中任一项掩模图形校正方法的掩模版制作方法,包括:

应用所述掩模图形校正方法对原始设计图形进行校正,获得掩模版图;

根据所述掩模版图,制作掩模版。

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