[发明专利]掩模图形校正方法以及掩模版制作方法有效
申请号: | 200910197089.4 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN102043325A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 李承赫;杨青 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图形 校正 方法 以及 模版 制作方法 | ||
1.一种掩模图形校正方法,包括:
对待校正图形进行光学邻近校正,获得校正图形;
根据所述校正图形,获得与其对应的工艺窗口;
比较所述工艺窗口与设定值;
当所述工艺窗口小于所述设定值时,对所述校正图形重复上述校正,直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时,校正完成。
2.如权利要求1所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述对待校正图形进行光学邻近校正获得校正图形,包括:
获得光学曝光模型;
采用所述光学曝光模型,对所述待校正图形进行模拟曝光,以获得对应的模拟曝光图形;
比较所述待校正图形以及其对应的模拟曝光图形,并根据所述比较结果,对所述待校正图形进行单次光学邻近校正。
3.如权利要求1所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述将工艺窗口与设定值进行比较还包括:根据光刻设备的曝光条件和光刻要求,设置设定值。
4.如权利要求1所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述工艺窗口为焦深。
5.如权利要求4所示的掩模图形校正方法,其特征在于,所述设定值为0.15微米至0.35微米。
6.一种应用如权利要求1-5中任一项掩模图形校正方法的掩模版制作方法,包括:
应用所述掩模图形校正方法对原始设计图形进行校正,获得掩模版图;
根据所述掩模版图,制作掩模版。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备