[发明专利]掩模图形校正方法以及掩模版制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻技术，尤其是掩模图形校正方法以及掩模版制作方法。

背景技术

在光刻过程中，基于原始设计图形的光学效应，根据原始设计图形设计出掩模图形以及对掩模图形进行校正，是光刻中至关重要的一步。

现有的掩模图形校正方法通常包括：校正前期，对设计图形中所有图案的目标重置，以及后续校正中，对掩模图形中所有图案的光学近邻校正。具体来说，在校正前期，对设计图形中所有图案的目标重置可包括：首先，根据经验值确定设计图形的设计规则；接着，根据设计规则，查询设计图形所对应的工艺窗口调节量，并根据查询所获得的调节量，对工艺窗口不符合实际生产要求的设计图形进行目标重置，即，对设计图形中每个图案的尺寸大小、数量、位置关系等参数进行优化。

一般来说，工艺窗口是指在将关键尺寸(CD，Critical Dimension)、光刻胶损失以及侧壁角保持在规定值的前提下时，所对应的焦深(DOF，Depth ofFocus)和曝光能量的允许范围，也可以说是当焦深和曝光能量发生改变时工艺的响应能力。通常，工艺窗口越大，焦深可调节的范围越大，工艺可实现的范围越宽，也就越容易实现。

例如，现有技术可根据规则表对与原始设计图形的线宽和图案间距相对应的工艺窗口调节值进行查询，并根据查询结果，缩小或扩大原始设计图形的焦深。参考图1，对于间距大于0.2微米且不大于0.3微米、线宽大于0.3微米且不大于0.4微米的设计图案，将其对应的焦深缩短0.05微米；而对于间距大于0.3微米且不大于0.4微米、线宽大于0.1微米且不大于0.2微米的设计图案，将其对应的焦深扩大0.05微米。

当对设计图形中所有图案的目标重置都完成后，，在校正后期，对所确定设计图形的形状、大小等，进行光学邻近校正，以获得掩模图形。由于图案与图案之间存在相互影响，通常需要反复多次地进行光学邻近校正，从而最终获得掩模图形，并且使通过所述掩模图形获得的曝光图形中的图案尽可能地与经过目标重置后的设计图形中的图案对应一致。

然而，随着半导体工艺集成度的提高，尤其是对于45纳米及以下工艺节点，在校正前期中设计图形目标重置所采用的设计规则受到越来越多的挑战：首先，这些设计规则由于需要照顾到多方面的情况而具有越来越多的限制条件，甚至，有些设计规则彼此相互矛盾，使得对这些已有的设计规则的应用变得越来越艰难；其次，即使能够满足设计规则的限制条件并对其加以应用，由于这些设计规则的设立通常仅考虑了光刻设备和光刻条件，例如每层的宽度和间距等，而忽视了设计图形中图案与图案之间的相互影响，使得后续校正过程对掩模图形中每个图案的光学邻近校正变得极为复杂且耗时庞大。

在当前45纳米节点工艺的实际生产中，要完成一个掩模图形的常规光学邻近校正的过程通常需要几天，甚至几周或更长的时间。而在一些情况下，完成了后续对掩模图形中所有图案的光学邻近校正过程之后，甚至还需要重新进行部分图案的目标重置以及基于此的再次光学邻近校正，才能获得曝光结果较好的掩模图形，其间所花费的时间和人力巨大。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种掩模图形校正方法，避免了需要反复进行目标重置和光学邻近校正。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种掩模图形校正方法，包括：对待校正图形进行光学邻近校正，获得校正图形；根据所述校正图形，获得与其对应的工艺窗口；将所述工艺窗口与设定值进行比较；当所述工艺窗口小于所述设定值时，对所述初始校正图形重复上述校正，直至当所述工艺窗口大于或者等于所述设定值时，校正完成。

可选的，所述对待校正图形进行光学邻近校正获得校正图形，包括：获得光学曝光模型；采用所述光学曝光模型，对所述待校正图形进行模拟曝光，以获得对应的模拟曝光图形；比较所述待校正图形以及其对应的模拟曝光图形，并根据所述比较结果，对所述待校正图形进行单次光学邻近校正。

可选的，所述将工艺窗口与设定值进行比较还包括：根据光刻设备的曝光条件和光刻要求，设置设定值。

可选的，所述工艺窗口为焦深。

可选的，所述设定值为0.15微米至0.35微米。

本发明还提供了一种应用上述掩模图形校正方法的掩模版制作方法，包括：应用所述掩模图形校正方法对原始设计图形进行校正，获得掩模版图；根据所述掩模版图，制作掩模版。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：