[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 200910197115.3 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102044479A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王琪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
直接在半导体衬底上形成层间绝缘层，在层间绝缘层上形成保护层；
在保护层上形成图案化的光刻胶；
以图案化的光刻胶为掩模刻蚀保护层和层间绝缘层，出露半导体衬底，形成金属沟槽；
在金属沟槽内填充金属，形成金属导线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的金属导线为第一金属层的金属导线，所述的半导体衬底包括半导体器件以及所述半导体器件与第一金属层之间的金属栓塞，所述金属栓塞的材料为钨。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述层间绝缘层的材料为碳掺杂的氧化硅。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述层间绝缘层的形成工艺为：介质化学气相沉积设备，反应温度为300摄氏度至400摄氏度，腔室压力为4托至6托，功率为400瓦至600瓦，氧气流量为每分钟100标准立方厘米至每分钟300标准立方厘米，氦气流量为每分钟800标准立方厘米至每分钟1200标准立方厘米，八甲基环化四硅氧烷流量为每分钟2000标准立方厘米至每分钟4000标准立方厘米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护层的材料为二氧化硅。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述保护层的形成工艺为：低压化学气相沉积设备，反应腔压强为6至9托，反应温度为300度至500度，反应气体为正硅酸乙脂以及氧气，以氦气为载气。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属导线的材料为铜。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括所述形成层间绝缘层之后、形成保护层之前，用氨气处理层间绝缘层形成粘连层的步骤，保护层形成在所述粘连层上，所述粘连层的材料为氮掺杂氧化硅。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述用氨气处理层间绝缘层形成粘连层的步骤为：处理温度为350至450度，腔体压力3.5至4.5托，氨气流量900至1200标准立方厘米，处理时间为15至25秒。
10.根据刻权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀层间绝缘层的工艺为，刻蚀设备腔体压力100毫托至200毫托，顶部射频功率100至200瓦，底部射频功率400至500瓦，CF4流量为每分钟100标准立方厘米至150标准立方厘米，CHF3流量为每分钟8至13标准立方厘米，Ar流量为每分钟150标准立方厘米至每分钟300标准立方厘米，O2流量小于每分钟1标准立方厘米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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