[发明专利]共享存储单元的分栅式闪存

权利要求书

1.一种共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；

沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；

存储单元，位于所述沟道区上方；

字线，位于所述存储单元上方；

第一选择栅和第二选择栅，分别位于所述字线和存储单元两侧，

其中，所述存储单元包括第一存储部分和第二存储部分，所述第一存储部分邻近第一选择栅，所述第二存储部分邻近第二选择栅，所述存储单元为氮化硅存储单元。

2.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加第一存储部分读取电压，实现第一存储部分读取。

3.根据权利要求2所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加的第一存储部分读取电压分别为2.5V、2V、4V、0V和1V，实现第一存储部分读取。

4.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加第二存储部分读取电压，实现第二存储部分读取。

5.根据权利要求4所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加的第二存储部分读取电压分别为2.5V、4V、2V、1V和0V，实现第二存储部分读取。

6.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加第一存储部分编程电压，实现第一存储部分编程。

7.根据权利要求6所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加的第一存储部分编程电压分别为8V、1.4V、5V、0V和4V，实现第一存储部分编程。

8.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加第二存储部分编程电压，实现第二存储部分编程。

9.根据权利要求8所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加的第二存储部分编程电压分别为8V、5V、1.4V、4V和0V，实现第二存储部分编程。

10.根据权利要求1所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加存存储单元擦除电压，实现第一存储部分和第二存储部分擦除。

11.根据权利要求10所述的共享存储单元的分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一选择栅、所述第二选择栅、所述源极区域和所述漏极区域施加的存存储单元擦除电压分别为-5V、F、F、F和F，实现第一存储部分和第二存储部分擦除。