[发明专利]一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法无效
| 申请号： | 200910197204.8 | 申请日： | 2009-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101692437A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;王鹏飞;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 淀积铜 互连 扩散 阻挡 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，其特征是，该方法包括下列步骤：
提供一个互连结构的某一层布线已经完成的集成电路衬底；
在所述衬底上依次淀积一层低介电常数介质层和一层刻蚀阻挡层；
在低介电常数介质层和刻蚀阻挡层中开出一个开口，该开口的位置与所提供衬底的互连线沟槽的位置相符；
在暴露的铜表面上吸附一层有机基团；
淀积扩散阻挡层；
去除有机基团并淀积籽晶铜；
电化学镀铜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的刻蚀阻挡层的材料是氮化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的有机基团为ODTS或PMMA。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
