[发明专利]具有共源结构的MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910197457.5 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102044435A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李奉载 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 结构 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极；
进行LDD注入，形成相邻MOS晶体管的轻掺杂漏极；
在所述栅电极靠近轻掺杂漏极的一侧形成侧墙；
进行源/漏极注入，形成相邻MOS晶体管的漏极和共源结构。
2.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极包括：在半导体衬底上形成覆盖共源区的栅极介质层及伪栅电极；在所述栅电极靠近轻掺杂漏极的一侧形成侧墙包括：在所述伪栅电极的两侧形成侧墙。
3.根据权利要求2所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：在形成侧墙后，进行源/漏极注入前，去除所述伪栅电极和栅极介质层覆盖共源区的部分。
4.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述在半导体衬底上形成栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极包括：在半导体衬底上形成露出共源区的栅极介质层及相邻MOS晶体管的栅电极。
5.根据权利要求4所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：在进行LDD注入前，在所述栅电极上形成光刻胶层并图案化，所述图案化的光刻胶层覆盖所述共源区；在形成侧墙后，进行源/漏极注入前，去除所述光刻胶层。
6.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极介质层的材料为二氧化硅。
7.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述LDD注入的剂量为1012～1013/cm2。
8.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述源/漏极注入的剂量为1014～1015/cm2。
9.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述具有共源结构的MOS晶体管的类型为NMOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述LDD注入的离子类型为砷或锑。
11.根据权利要求9所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述源/漏极注入的离子类型为砷或锑。
12.根据权利要求1所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述具有共源结构的MOS晶体管的类型为PMOS晶体管。
13.根据权利要求12所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述LDD注入的离子类型为硼。
14.根据权利要求12所述的具有共源结构的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述源/漏极注入的离子类型为硼。
15.一种具有共源结构的MOS晶体管，包括：
半导体衬底；
栅极介质层和相邻MOS晶体管的栅电极，依次形成于所述半导体衬底上；
相邻MOS晶体管的漏极和共源结构，分别形成于所述栅电极两侧的半导体衬底内，其中，所述共源结构形成于所述相邻MOS晶体管的栅电极之间的半导体衬底内；
轻掺杂漏和侧墙；
其特征在于，所述轻掺杂漏形成于所述漏极一侧的半导体衬底内，所述侧墙形成于所述栅电极靠近漏极的一侧。
16.根据权利要求15所述的具有共源结构的MOS晶体管，其特征在于，所述具有共源结构的MOS晶体管的类型为NMOS晶体管。
17.根据权利要求16所述的具有共源结构的MOS晶体管，其特征在于，所述漏极和共源结构的掺杂离子类型为砷或锑。
18.根据权利要求15所述的具有共源结构的MOS晶体管，其特征在于，所述具有共源结构的MOS晶体管的类型为PMOS晶体管。
19.根据权利要求18所述的具有共源结构的MOS晶体管，其特征在于，所述漏极和共源结构的掺杂离子类型为硼。
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