[发明专利]制造掩膜版的方法有效
| 申请号： | 200910197615.7 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102043323A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈新晋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 掩膜版 方法 | ||
1.一种制造掩膜版的方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；在基底上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶；将光刻胶图形化；通过电镀技术在导电层未被光刻胶图形覆盖的表面形成金属层；去除光刻胶图形；去除未被金属层覆盖的导电层。
2.如权利要求1所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述电镀技术中的电镀液包含金属层材料阳离子。
3.如权利要求1所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，在所述电镀技术中，电源的正电极电性连接至待镀金属源，电源的负电极电性连接至导电层。
4.如权利要求2所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述待镀金属源部分或完全浸没在电镀液中，所述基底、导电层、光刻胶图形浸没在电镀液中。
5.如权利要求3所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述的待镀金属源由金属层材料制成。
6.如权利要求5所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述待镀金属源由纯度高于99.99％的金属层材料制成。
7.如权利要求2所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述电镀液放置于化学槽中。
8.如权利要求1、2、5或6所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述金属层是铬层。
9.如权利要求8所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述电镀液是硫酸铬。
10.如权利要求1所述的制造掩膜版的方法，其特征在于，所述光刻胶图形化主要包括曝光、显影的步骤。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
