[发明专利]刻蚀沟槽的方法有效
| 申请号： | 200910197667.4 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102041508A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 沟槽 方法 | ||
1.一种刻蚀沟槽的方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，对层间介质层进行刻蚀形成沟槽，该方法分为两步执行，包括：
第一步刻蚀控制刻蚀反应腔内的压力为一预定值，向刻蚀反应腔内提供偏置功率，向刻蚀反应腔内通入包括氧气和四氟化碳CF4的气体；
在刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3时，执行第二步刻蚀，保持与第一步刻蚀时刻蚀反应腔内的压力相同，向刻蚀反应腔内提供偏置功率、源功率和磁场，向刻蚀反应腔内通入包括氢气、氧气和CF4的气体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀反应腔内的压力为20～50毫托mT。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一步刻蚀，刻蚀反应腔内偏置功率包括高频偏置功率和低频偏置功率；
高频偏置功率为900～1100瓦；
低频偏置功率为250～350瓦。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一步刻蚀，刻蚀反应腔内CF4的流量为250～300标准立方厘米每分钟sccm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二步刻蚀，刻蚀反应腔内偏置功率包括高频偏置功率和低频偏置功率；
高频偏置功率为600～800瓦；
低频偏置功率为150～250瓦。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二步刻蚀，刻蚀反应腔内的源功率为400～1500瓦。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二步刻蚀，刻蚀反应腔内氢气的流量为50～100sccm。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二步刻蚀，刻蚀反应腔内CF4的流量为100～150sccm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二步刻蚀，刻蚀反应腔内磁场大小为1.5～2特斯拉。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3，通过刻蚀时间控制。
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