[发明专利]在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法，形成具有源极、漏极及栅极的半导体器件层，该方法包括：

对形成的半导体器件层采用离子注入方式进行杂质掺杂后，快速退火；

在半导体器件层上的非金属化区域形成阻挡层后，在半导体器件层的金属化区域形成自对准硅化物层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述快速退火为：

将进行了杂质掺杂后的半导体器件层放置到快速退火反应腔中持续数秒，所述快速退火反应腔的温度大于等于1000摄氏度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为依次沉积的氧化层和氮化层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自对准硅化物层为金属硅化物层，形成过程为：

沉积金属层后，所述沉积的金属层和所述半导体器件层的金属化区域表面的硅反应得到金属硅化物层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述和所述半导体器件层的金属化区域表面的硅反应得到金属硅化物层为：

对所述半导体器件层进行加热，温度为600摄氏度～800摄氏度，持续时间为小于等于2个小时。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为P型金属氧化物半导体。