[发明专利]承载晶圆的制作方法和承载晶圆有效
| 申请号： | 200910197669.3 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102040185A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 金明伦;吴秉寰;刘煊杰;傅焕松;陈宇涵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 承载 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种承载晶圆的制作方法，该方法包括：
在晶圆表面沉积氮化硅；
通过光刻工艺在沉积有氮化硅的晶圆上定义出待刻蚀区域，所述待刻蚀区域为除边缘区域以外的区域；
刻蚀掉所述待刻蚀区域上的氮化硅；
去除晶圆上剩余的光刻胶，并刻蚀掉所述待刻蚀区域上的指定厚度的硅衬底；
去除晶圆上剩余的氮化硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积的氮化硅的厚度为500～1000埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉的硅衬底的厚度为10～100微米。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述边缘区域为晶圆最外边沿向晶圆中心方向延伸进6～8毫米的区域。
5.一种承载晶圆，所述承载晶圆的边缘区域的厚度大于非边缘区域的厚度。
6.根据权利要求5所述的承载晶圆，其特征在于，所述边缘区域的厚度比所述非边缘区域的厚度大10～100微米。
7.根据权利要求5或6所述的承载晶圆，其特征在于，所述边缘区域为晶圆最外边沿向晶圆中心方向延伸进6～8毫米的区域。
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