[发明专利]承载晶圆的制作方法和承载晶圆

说明书

技术领域

本发明涉及微机电系统(MEMS)技术，特别涉及一种承载晶圆的制作方法和一种承载晶圆。

背景技术

当前，电子产品的功能越来越全面，而同时人们又希望电子产品的体积越来越小，从而方便携带，为了同时满足上述两个要求，现有技术中提出了很多种解决方式，其中之一即为微机电系统。

微机电系统是指在一块普通的晶圆上集成机械元件、传感器、执行器、信号处理和控制电路、接口电路以及电源等于一体的微型机电系统，能够将信息的获取、处理和执行等集成在一起。通常的电子器件是使用半导体制作技术来制造的，而微机电系统则在此基础上进一步结合了微加工技术，通过对晶圆进行选择性的腐蚀或沉积新的结构层等来构成电子器件，具有集成度高、体积小、重量轻、耗能低以及响应时间短等诸多优点。

另外，现有半导体制作技术中，在对晶圆进行制作时，通常所有工艺均针对晶圆的同一个面进行的，比如，先在某一面上形成CMOS器件，然后在此基础上制作金属互连层等。但是微机电系统的制作方式不同，需要针对晶圆的两个面进行。

这样就会存在一个问题：当完成晶圆的A面的制作时，如果随后要进行B面的制作，那么在对B面进行制作时，A面则需要与机台等设备进行接触，通常，晶圆是通过真空吸盘固定在机台上的，而由于晶圆的A面已经进行了制作，所以必然呈现一定程度上的凹凸不平状态，这样，就可能导致真空吸附效果不好，简单地说，就可能会漏气，从而导致后续制作过程中晶圆的位置发生移动，进而导致所产生的摩擦力对晶圆的A面上已制作完的器件等造成损坏。另外，即使不是通过真空吸盘来固定晶圆，比如通过夹子或其它方式，那么制作过程中也可能会发生晶圆位置移动的情况，所以也会对晶圆的A面上已制作完的器件等造成损坏。

为便于描述，以下将上述未制作完的晶圆称为生产晶圆(production wafer)。

针对上述问题，现有技术多采用以下方式来对生产晶圆进行保护：

在生产晶圆的待制作面的背面预先粘贴一层保护膜，待制作完毕后，再将该保护膜撕掉。但这种方式增加了贴膜和撕膜两个步骤，所以实现起来比较麻烦，而且，保护膜一旦撕下去就不能再用了，所以会导致成本的升高。

或者，在生产晶圆的待制作面的背面预先粘贴一承载晶圆(carrier wafer)，该承载晶圆通常是未经过任何制作的原始晶圆。如图1所示，图1为现有承载晶圆和生产晶圆的粘贴方式示意图。在承载晶圆的边缘区域涂一层水膜，通过该水膜将承载晶圆与生产晶圆粘贴在一起。相比于前一种方式，这种方式实现起来更为简单，而且承载晶圆是可重复利用的，所以也降低了成本。

但是，这种方式同样存在问题，因为：虽然这种方式防止了机台对生产晶圆上已制作完的器件等造成损坏，但是，如果承载晶圆和生产晶圆之间由于粘贴不牢等原因发生相对运动，那么还是会对生产晶圆上已制作完的器件等造成损坏；而且，虽然水膜只是涂在了承载晶圆的边缘区域，但由于水的流动是随机的，在粘贴上生产晶圆后，有可能会由晶圆的边缘区域向中心区域流动，从而对生产晶圆上已制作完的器件等造成腐蚀。可见，这种方式也存在一定的缺陷，所以也不能对生产晶圆起到很好的保护作用。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种承载晶圆的制作方法，通过该方法制作出的承载晶圆可对生产晶圆起到很好的保护作用。

本发明的另一目的在于提供一种承载晶圆，能够对生产晶圆起到很好的保护作用。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种承载晶圆制作方法，该方法包括：

在晶圆表面沉积氮化硅；

通过光刻工艺在沉积有氮化硅的晶圆上定义出待刻蚀区域，所述待刻蚀区域为除边缘区域以外的区域；

刻蚀掉所述待刻蚀区域上的氮化硅；

去除晶圆上剩余的光刻胶，并刻蚀掉所述待刻蚀区域上的指定厚度的硅衬底；

去除晶圆上剩余的氮化硅。

较佳地，所述沉积的氮化硅的厚度为500～1000埃。

较佳地，所述刻蚀掉的硅衬底的厚度为10～100微米。

较佳地，所述边缘区域为晶圆最外边沿向晶圆中心方向延伸进6～8毫米的区域。

一种承载晶圆，所述承载晶圆的边缘区域的厚度大于非边缘区域的厚度。

较佳地，所述边缘区域的厚度比所述非边缘区域的厚度大10～100微米。

较佳地，所述边缘区域为晶圆最外边沿向晶圆中心方向延伸进6～8毫米的区域。