[发明专利]崩应测试方法无效
| 申请号： | 200910197683.3 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102043119A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张启华;简维廷;谢君强;丁育林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 方法 | ||
1.一种崩应测试方法，其特征在于，包括步骤：
将待测试的芯片安装在老化测试板上，芯片管脚与老化测试板电性连通；
将安装有芯片的老化测试板置于老化炉内，并使芯片的电源管脚与电源连接；
开启老化炉对芯片加热，开启电源为芯片提供老化电压和测试电压，老化电压即测试电压，对芯片的电源管脚上的老化电压和在老化电压下的电流进行测量。
2.如权利要求1所述的崩应测试方法，其特征在于，老化测试板上安装有至少两个所述待测试的芯片。
3.如权利要求2所述的崩应测试方法，其特征在于，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量的步骤包括：通过老化测试板使每个芯片电源管脚上至少连接一个量测计，量测计对不同的所述待测试的芯片的电源管脚上的电流进行测量。
4.如权利要求3所述的崩应测试方法，其特征在于，在特定的时间间隔对同一芯片电源管脚进行重复测量。
5.如权利要求2所述的崩应测试方法，其特征在于，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量的步骤包括：通过老化测试板使至少两个芯片的电源管脚共同连接到一个量测计上，量测计依次对不同的所述待测试的芯片的电源管脚上的电流进行测量。
6.如权利要求5所述的崩应测试方法，其特征在于，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量的步骤包括：通过老化测试板使所有芯片的电源管脚共同连接到一个量测计上，量测计依次对不同的所述待测试的芯片的电源管脚上的电流进行测量。
7.如权利要求6所述的崩应测试方法，其特征在于，在特定的时间间隔，更换一次测量的芯片，在将所有芯片测量完一次之后再循环进行测量。
8.如权利要求7所述的崩应测试方法，其特征在于，所述所有芯片的电源管脚和量测计之间通过控制单元相连，所述控制单元使得在同一时间只有一个芯片和量测计电性导通。
9.如权利要求7所述的崩应测试方法，其特征在于，所述控制单元包括开关电路。
10.如权利要求1所述的崩应测试方法，其特征在于，所述量测计为安培表。
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