[发明专利]崩应测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种崩应测试方法。

背景技术

在集成电路制造完成后，还需经过产品可靠性测试来判断其性能的好坏，而产品老化寿命实验是产品可靠性测试非常重要的必须经过的一个环节。一般常见的寿命实验项目有崩应(Burn-in)测试，也叫做老化测试。通常老化测试都是先对芯片进行高温和高压处理，加速其老化，迫使故障在更短时间内出现。

崩应测试包括静态崩应测试、动态崩应测试和监测崩应测试等。崩应测试的过程包括：首先将芯片置于老化测试板上对芯片施以高温和高压进行老化，例如将芯片及其所在的老化测试板置于老化炉中进行加热，例如加热到150℃，维持一天的高温，同时施以高压。然后在芯片老化的一些节点，例如老化24小时、48小时或者168小时、500小时、1000小时的时候，将芯片及老化测试板从老化炉取出，放入测试机台中进行直流参数、交流参数和功能参数的测量。静态崩应测试和动态崩应测试中老化过程中是不能对芯片进行直流参数、交流参数和功能参数的测量的，只能将芯片取出放入测试机台进行测试，监控崩应测试，虽然通过复杂的电路设计及编程可以在崩应的同时进行简单的功能测量，但是也无法实现直流参数和交流参数的测量。

例如申请号为“US5489538”的美国专利文献中公开了一种崩应测试的方法，其中静态崩应测试利用了先对芯片进行加压和加热进行崩应，然后测试其直流特性，动态崩应测试利用了先对芯片进行加压和加热进行崩应，然后测试其功能特性。因此其静态崩应测试和动态崩应测试在老化的同时都没有办法实现芯片直流参数的量测。

另外专利号为“US6215324B1”的美国专利文献中提供了一种动态崩应测试的装置，但该崩应测试装置的的老化基台只负责进行老化或者简单的功能监测，电路设计复杂、编程复杂，而且还不能实现直流参数和交流参数的测量。

现有的崩应测试存在的问题是不能在老化的同时实现直流参数和交流参数的测试，因此测试过程复杂，而且只能实现对一些老化节点的测试，而不能对老化过程对直流参数和交流参数进行实时的测试。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种可以在老化的同时对直流参数进行实时测量的崩应测试方法。

为了解决上述问题，本发明提供了一种崩应测试方法，包括步骤：将待测试的芯片安装在老化测试板上，芯片管脚与老化测试板电性连通；将安装有芯片的老化测试板置于老化炉内，并使芯片的电源管脚与电源连接；开启老化炉对芯片加热，开启电源为芯片提供老化电压和测试电压，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量。

可选的，老化测试板上安装有至少两个所述待测试的芯片。

可选的，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量的步骤包括：通过老化测试板使每个芯片电源管脚上至少连接一个量测计，量测计对不同的所述待测试的芯片的电源管脚上的电流进行测量。

可选的，在特定的时间间隔对同一芯片电源管脚进行重复测量。

可选的，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量的步骤包括：通过老化测试板使至少两个芯片的电源管脚共同连接到一个量测计上，量测计依次对不同的所述待测试的芯片的电源管脚上的电流进行测量。

可选的，对芯片的电源管脚上的电压和电流进行测量的步骤包括：通过老化测试板使所有芯片的电源管脚共同连接到一个量测计上，量测计依次对不同的所述待测试的芯片的电源管脚上的电流进行测量。

可选的，在特定的时间间隔，更换一次测量的芯片，在将所有芯片测量完一次之后再循环进行测量。

可选的，所述所有芯片的电源管脚和量测计之间通过控制单元相连，所述控制单元使得在同一时间只有一个芯片和量测计电性导通。

可选的，所述控制单元包括开关电路。

可选的，所述量测计为安培表。

与现有技术相比，本发明主要具有以下优点：

本发明通过在崩应的同时对芯片的直流参数进行量测，从而实现了对崩应过程的实时监控，使得崩应测试的更加精确，并且简化了崩应测试过程，降低了成本。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1为本发明的崩应测试方法的流程图；

图2至图7为本发明的崩应测试方法的示意图。

具体实施方式