[发明专利]垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法无效
| 申请号： | 200910197889.6 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102051672A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄小卫 | 申请（专利权）人： | 上海元亮光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B11/00;C30B17/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 温度梯度 泡生法 生长 尺寸 高温 氧化物 晶体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直温度梯度泡生法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：包括提拉结构，在所述的提拉结构下与炉盖和炉膛相连，所述的炉膛中设置有法兰座、金属发热体、保温罩和坩埚，在所述的法兰座下固定环状组合保温层，所述的坩埚下设置坩埚托和坩埚托杆用于支撑坩埚，所述坩埚托杆外包裹下保温罩。
2.根据权利要求1所述生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：所述的炉盖包括小炉盖、大炉盖和下炉盖，大炉盖和下炉盖固定在炉膛的上下面，构成了生长的空腔，在空腔的一侧和真空装置相通。
3.根据权利要求2所述生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：所述的小炉盖、大炉盖和下炉盖都是可调梯度的，内部设置有机械提升机构。
4.根据权利要求1所述生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：所述保温罩外包覆有陶瓷绝缘体，在法兰座上通过陶瓷绝缘体支撑上保温罩。
5.根据权利要求1所述生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：所述坩埚上部加盖有坩埚盖或保温罩或坩埚盖和保温罩，并且具有梯度分布。
6.根据权利要求1所述生长大尺寸高温氧化物晶体的方法，其特征在于：所述下保温罩下部垫有绝缘兼备隔热功能的陶瓷层。
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