[发明专利]一种研磨方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨方法。

【背景技术】

现有技术中，化学机械研磨通常采用的是固定时间研磨的方式，将待研磨的介质层从某一膜层厚度(如1000nm)研磨到另一膜层厚度(如600nm)。而研磨设备的研磨速率通常是不稳定的，每次都会有一定的偏差。在固定时间的情况下，我们会发现在该时间段内产品的实际厚度是上下波动的，并不能稳定在相对固定的范围内。

附图1所示是在生产线上在线监测获得的不同批次产品的厚度值，横坐标代表时间，纵坐标代表每个批次的表面薄膜的研磨厚度，其中各个批次的累计研磨时间固定为一天。从图中可以看出，各个批次之间的厚度变化较为明显，并且这一变化并没有固定的规律，很难在每个批次之间按照固定的变化趋势对研磨时间进行调整。

因此，现有技术中由于研磨速率不稳定带来的最终产品厚度变化明显，会对后续的光刻工艺造成潜在的威胁。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是，提供一种研磨方法，能够降低各个批次的产品之间的厚度差异，以保证后续光刻工艺的顺利进行。

为了解决上述问题，本发明提供了一种研磨方法，包括如下步骤：测试一研磨设备的实际研磨速率V_r1；根据所述实际研磨速率V_r1计算其后一阶段的实际研磨时间T₂。

作为可选的技术方案，根据所述研磨速率V_r1计算其后一阶段的实际研磨时间T₂的步骤包括：将所述实际研磨速率V_r1作为所述后一阶段的参考研磨速率V_f2；根据所述后一阶段的研磨厚度L₂与所述参考研磨速率V_f2计算所述实际研磨时间T₂，计算式为：T₂＝L₂/V_f2。

作为可选的技术方案，根据所述研磨速率V_r1计算其后一阶段的实际研磨时间T₂的步骤包括：以所述后一阶段之前各阶段的实际研磨速率V_r1、V_r2、……、V_rn的平均值作为所述后一阶段的参考研磨速率V_f2；根据所述后一阶段的研磨厚度L₂与所述参考研磨速率V_f2计算所述实际研磨时间T₂，计算式为：T₂＝L₂/V_f2。

作为可选的技术方案，根据所述研磨速率V_r1计算其后一阶段的实际研磨时间T₂的步骤包括：以所述后一阶段之前各阶段的实际研磨速率V_r1、V_r2、……、V_rn的根据所述各阶段的研磨材料不同进行加权平均，作为所述后一阶段的参考研磨速率V_f2；根据所述后一阶段的研磨厚度L₂与所述参考研磨速率V_f2计算所述实际研磨时间T₂，计算式为：T₂＝L₂/V_f2。

作为可选的技术方案，所述各阶段的时间长度为24小时。

作为可选的技术方案，所述后一阶段的实际研磨时间T₂由T₂＝(V_s/V_f2)×T_s计算，其中V_s为标准研磨速率，T_s为标准研磨时间。

本发明的优点在于，通过在每个时间段内都测试实际的研磨速率，并在每个时间段都能够根据前面的实际研磨速率去调整该阶段的参考研磨速率，达到获得精确的研磨厚度的目的。

【附图说明】

附图1是采用现有技术所获得的研磨厚度随时间变化的示意图；

附图2是本发明所述研磨方法具体实施方式的实施步骤示意图；

附图3是采用本发明所述具体实施方式所获的产品的研磨厚度随时间变化的示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图对本发明提供的一种研磨方法的具体实施方式做详细说明。