[发明专利]集成电路铜互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 200910198587.0 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054757A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧;刘明源;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种集成电路铜互连结构的制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有铜互连结构，所述铜互连结构具有初始应力特性；
将形成有铜互连结构的半导体衬底装入反应腔体中；
在所述反应腔体中，对所述铜互连结构进行退火处理，以使所述铜互连结构具有二次应力特性，所述二次应力特性小于初始应力特性。
2.如权利要求1所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火处理的气氛为氮气、惰性气体或者二者的混合气体。
3.如权利要求1所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述退火处理工艺的具体参数为：气压为2torr至10torr；反应温度为300摄氏度至450摄氏度；反应时间为30秒至200秒，气体流量为1600至2200SCCM。
4.如权利要求1所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述反应腔体为化学气相淀积腔体。
5.如权利要求1所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，还包括继续在同一反应腔体内，在所述形成有铜互连结构的半导体衬底上形成介电层，退火过程与所述介电层的形成是连续的，半导体衬底不需要从反应腔体中取出，即所述半导体衬底不会暴露在空气中。
6.如权利要求5所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述介电层通过等离子体增强型化学气相淀积形成。
7.如权利要求5所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述介电层的形成温度范围与对所述铜互连结构进行退火处理的退火温度范围相同，所述退火处理后没有升温或降温过程。
8.如权利要求5所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述介电层是氮化硅或碳氮化硅。
9.如权利要求5所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，还包括继续在所述介电层上形成金属间介电层。
10.如权利要求9所述的集成电路铜互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属间介电层为低K介电材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
