[发明专利]垂直式闪存结构及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直式闪存的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成源区；

在所述源区水平表面上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源区；

在所述第一介质层中形成开口，所述开口露出所述源区的一部分；

在所述开口中形成硅材料层，作为有源区；

去除所述第一介质层的一部分，暴露出所述有源区的竖直表面；

在所述有源区的竖直表面上沿水平方向依次形成浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；

在所述有源区的水平表面上形成漏区。

2.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，所述有源区的形成方法为选择性外延生长。

3.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，所述浮栅介质层的材料为氧化硅。

4.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，所述控制栅介质层为氮化硅/氧化硅叠层结构或者氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层结构。

5.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，所述浮栅和控制栅的材料为多晶硅或掺杂的非晶硅。

6.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，所述漏区的形成方法为选择性外延生长或者离子注入。

7.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，去除所述第一介质层的一部分后，剩余的第一介质层的厚度为50埃至1000埃。

8.根据权利要求1所述的垂直式闪存的制造方法，其特征在于，在所述有源区的竖直表面上依次形成浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅包括：在所述有源区的竖直表面上沿水平方向依次形成浮栅介质层、浮栅层、控制栅介质层、控制栅层和第二介质层；以垂直方向刻蚀去除部分浮栅层和控制栅层，形成浮栅和控制栅，并在刻蚀形成的沟槽中填充第三介质层；沿水平方向对所述第二介质层、第三介质层、浮栅介质层、控制栅介质层和有源区的表面进行平整化。

9.一种垂直式闪存结构，其特征在于，包括：

衬底；

源区，形成于所述衬底的水平表面上；

有源区，形成于所述源区的水平表面上，覆盖部分源区；

第一介质层，覆盖在所述有源区两侧的源区的表面上；

浮栅介质层，形成于所述有源区的竖直表面上；

浮栅，形成于所述浮栅介质层的竖直表面上；

控制栅介质层，形成于所述浮栅的竖直表面上；

控制栅，形成于所述控制栅介质层的竖直表面上；

漏区，形成于所述有源区的水平表面上。

10.根据权利要求8所述的垂直式闪存结构，其特征在于，所述有源区为掺杂的单晶硅或者非晶硅材料。

11.根据权利要求8所述的垂直式闪存结构，其特征在于，所述源区和漏区的掺杂类型相同，并且与所述有源区的掺杂类型相反。

12.根据权利要求8所述的垂直式闪存结构，其特征在于，所述浮栅介质层的材料为氧化硅。

13.根据权利要求8所述的垂直式闪存结构，其特征在于，所述控制栅介质层为氮化硅/氧化硅叠层结构或者氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层结构。

14.根据权利要求8所述的垂直式闪存结构，其特征在于，所述浮栅和控制栅的材料为多晶硅或掺杂的非晶硅。