[发明专利]一种DRAM存储器有效
| 申请号： | 200910198600.2 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102054526A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邢溯;杨勇胜;肖德元;陈国庆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4097 | 分类号： | G11C11/4097 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dram 存储器 | ||
1.一种DRAM存储器，其包括存储单元，相互平行等间隔设置的字线和相互平行等间隔设置并与字线垂直的位线；其特征在于：
所述存储单元面积为7F2。
2.如权利要求1所述的DRAM存储器，其特征在于：所述字线之间的孔距为2F，所述位线之间的孔距为
3.如权利要求1～2任一所述的DRAM存储器，其特征在于，还包括多个有源区，每一有源区具有中心，该中心位于沿位线伸长方向的位线中心线上；
所述有源区的伸长方向与位线伸长方向的锐角夹角为30°。
4.如权利要求3所述的DRAM存储器，其特征在于：所述有源区的中心与位于同一相邻位线上且与其相邻的两有源区中心的连线构成等边三角形，等边三角形的边长为4F。
5.如权利要求4所述的DRAM存储器，其特征在于：沿有源区伸长方向的两相邻的有源区中心之间的距离为
沿有源区伸长方向的两相邻有源区之间的间隔为
有源区沿其伸长方向的长度为垂直伸长方向的宽度为1F。
6.如权利要求1～2任一所述的DRAM存储器，其特征在于：还包括多个有源区，每一有源区具有中心，该中心位于沿位线伸长方向的位线中心线上；
一位线上的有源区的伸长方向与另一相邻位线上的有源区伸长方向之间的锐角夹角为60°；其中，
一位线上的有源区伸长方向与位线伸长方向的锐角夹角为30°，另一相邻位线上的有源区伸长方向与位线伸长方向的锐角夹角为30°。
7.如权利要求6所述的DRAM存储器，其特征在于：所述有源区的中心与位于同一相邻位线上且与其相邻的两有源区中心连线构成等边三角形，等边三角形的边长为4F。
8.如权利要求7所述的DRAM存储器，其特征在于：有源区沿其伸长方向的长度为垂直伸长方向的宽度为1F。
9.如权利要求3所述的DRAM存储器，其特征在于：所述锐角夹角为以位线为起始边顺时针旋转有源区伸长方向的角度或者逆时针旋转有源区伸长方向的角度。
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