[发明专利]MOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种MOS器件形成方法，其特征在于，包括：

提供表面形成有栅极区的半导体衬底，所述栅极区包括栅介质层和形成在栅介质层表面的栅电极层；

在所述半导体衬底内形成位于所述栅极区的两侧的LDD区；

在所述LDD区位于接近所述栅极区的侧面形成与LDD相邻的第一口袋区；

在所述第一口袋区内与第一口袋区下方形成第二口袋区；

在所述栅极区侧壁形成侧墙；

在所述半导体衬底内形成位于形成有侧墙的栅极区两侧的源极区和漏极区，所述源极区/漏极区与沟道区之间被所述第一口袋区和第二口袋区隔离。

2.如权利要求1所述的MOS器件形成方法，其特征在于，所述第一口袋区为第一导电类型。

3.如权利要求2所述的MOS器件形成方法，其特征在于，所述第一口袋区的形成工艺为第一离子注入，具体工艺参数为：注入角度为0度至30度，注入的离子为重离子。

4.如权利要求3所述的MOS器件形成方法，其特征在于，当第一口袋区的导电类型为p型时，注入重离子为In离子；当第一口袋区的导电类型为n型时，注入重离子为As离子或者Sb离子。

5.如权利要求2所述的MOS器件形成方法，其特征在于，所述第二口袋区为第一导电类型。

6.如权利要求5所述的MOS器件形成方法，其特征在于，所述第二口袋区的形成工艺为第二离子注入，具体工艺参数为：注入角度为0度至45度，注入的离子为轻离子。

7.如权利要求6所述的MOS器件形成方法，其特征在于，当第二口袋区150的导电类型为p型时，注入轻离子为B离子；当第二口袋区150的导电类型为n型时，注入轻离子为P离子。

8.如权利要求2所述的MOS器件形成方法，其特征在于，所述LDD区为第二导电类型。

9.如权利要求2所述的MOS器件形成方法，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型。

10.一种MOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成在半导体衬底表面的栅极区，所述栅极区包括栅介质层和形成在栅介质层表面的栅电极层；

形成在半导体衬底表面并位于栅极区侧壁的侧墙；

位于半导体衬底内的并位于栅极区两侧的LDD区；

位于半导体衬底内的并形成有侧墙的栅极区两侧的源极区/漏极区；

位于半导体衬底内且位于LDD区、源极区、漏极区和沟道区之间的第一口袋区；

位于半导体衬底内且位于LDD区、源极区、漏极区和沟道区之间并部分位于位于第一口袋区部分位于第一口袋区下方的第二口袋区。

11.如权利要求10所述的MOS器件，其特征在于，所述第一口袋区具有第一导电类型。

12.如权利要求11所述的MOS器件，其特征在于，所述第一口袋区具有重离子形成的第一导电类型。

13.如权利要求11所述的MOS器件，其特征在于，所述第二口袋区具有第一导电类型。

14.如权利要求13所述的MOS器件，其特征在于，所述第二口袋区具有轻离子形成的第一导电类型。

15.如权利要求11所述的MOS器件，其特征在于，所述半导体衬底具有第一导电类型。

16.如权利要求11所述的MOS器件，其特征在于，所述LDD区具有第二导电类型。