[发明专利]UMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种UMOS器件形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底为n⁺型衬底；

在所述衬底表面形成n外延层；

在所述n外延层内形成位于所述n外延层表面侧的p阱；

在所述n外延层和p阱内形成贯穿所述n外延层且位于p阱内的沟槽；

在所述沟槽底部和沟槽侧壁以及部分p阱与所述沟槽侧壁相邻的表面形成栅介质层；

在所述栅介质层表面形成栅电极层且所述栅电极层填充所述沟槽；

在p阱内形成源极区和体区，所述源极区与栅介质层相邻。

2.如权利要求1所述的UMOS器件形成方法，其特征在于，在所述沟槽底部和沟槽侧壁以及与所述沟槽侧壁相邻的p阱表面形成栅介质层和在所述介质层表面形成填充所述沟槽的栅电极层具体步骤包括：在所述沟槽底部和沟槽侧壁以及p阱表面形成栅介质薄膜；在所述栅介质薄膜上形成填充所述沟槽的栅电极层薄膜；在所述栅电极层薄膜表面形成与栅电极层对应的光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，依次刻蚀栅电极层薄膜和栅介质薄膜，形成栅电极层和栅介质层。

3.如权利要求1所述的UMOS器件形成方法，其特征在于，所述栅电极层材料为多晶硅或者导电金属材料。

4.如权利要求1所述的UMOS器件形成方法，其特征在于，所述栅介质层材料为氧化硅或者氮化硅。

5.如权利要求1所述的UMOS器件形成方法，其特征在于，所述n外延层的离子浓度要低于n⁺型衬底的离子浓度。

6.一种UMOS器件，其特征在于，包括：

n⁺型衬底；

形成在n⁺型衬底表面的n外延层；

形成在n外延层表面的p阱；

贯穿所述n外延层且位于p阱内的沟槽；

形成在所述沟槽底部和沟槽侧壁以及部分p阱与所述沟槽侧壁相邻的表面的栅介质层；

形成在所述栅介质层表面的栅电极层且所述栅电极层填充所述沟槽；

形成在p阱内的源极区和体区，且所述源极区与栅介质层相邻。

7.如权利要求6所述的UMOS器件，其特征在于，所述栅电极层材料为多晶硅或者导电金属材料。

8.如权利要求6所述的UMOS器件，其特征在于，所述栅介质层材料为氧化硅或者氮化硅。