[发明专利]一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路有效

专利信息
申请号: 200910200245.8 申请日: 2009-12-10
公开(公告)号: CN102097122A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 迟志刚 申请(专利权)人: 上海华虹集成电路有限责任公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 代理人: 曹立维
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 通道 共享 数据 缓存 nand flash 控制器 电路
【权利要求书】:

1.一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,包含主控制器、共享数据缓存区单元及NAND flash接口控制逻辑单元,其特征在于所述共享数据缓存区单元由数据缓存区、数据缓存区地址列表以及数据缓存区地址FIFO构成。

2.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述数据缓存区单元为寄存器或锁存器或SRAM且能进行同时读写操作。

3.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述数据缓存区的大小最小为N为通道数,M为一次从数据缓存区申请的数据空间的大小。

4.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述数据缓存区地址列表为先进先出的存储结构,初始状态为满。

5.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述数据缓存区地址FIFO采用先进先出的存储结构。

6.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述控制器电路从NAND flash读数据时,各通道从NANDflash到数据缓存区的数据传输相互之间的间隔为tP是单通道连续传输一页数据需要的时间。

7.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述NAND flash接口控制逻辑单元采用分时复用方式与数据缓冲区进行数据读写。

8.如权利要求1所述的一种多通道共享数据缓存区的NAND flash控制器电路,其特征在于:所述数据缓存区地址FIFO每通道1个。

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