[发明专利]封装基板的导通结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910200356.9 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN102097330A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 孙骐;方仁广;罗光淋;高洪涛;林聪志;任金虎 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
提供一封装基板；
在所述封装基板上形成至少一非圆形通孔；
在所述非圆形通孔内对应形成一非圆形导电部；以及
对应所述非圆形通孔形成一通孔，并且所述通孔将所述非圆形通孔内部的所述非圆形导电部分割成相互分离的至少二剩余部分而形成至少二导电通路。
2.如权利要求1所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：在形成所述导电通路之后，另包含：在所述封装基板的至少一表面形成至少一表面线路层。
3.如权利要求1所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：所述非圆形导电部为一附着于所述非圆形通孔内壁的金属层或一填满所述非圆形通孔的非圆形导电柱。
4.如权利要求1所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：在形成所述非圆形通孔时，利用一具有非圆形截面的冲孔模具来形成所述非圆形通孔；或利用一激光装置搭配一具有非圆形开口的掩膜来形成所述非圆形通孔。
5.如权利要求1或4所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：所述非圆形通孔的形状选自十字形、米字形、矩形、三角形、正方形、星形、花朵形或椭圆形。
6.如权利要求1所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：在形成所述非圆形导电部时，选择利用电镀、无电电镀或印刷方式来形成所述非圆形导电部。
7.如权利要求1所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：在形成所述通孔时，所述通孔的截面为圆形或非圆形。
8.如权利要求1或7所述的封装基板的导通结构的制造方法，其特征在于：所述在形成所述通孔时，选择利用一钻针对所述封装基板进行机械钻孔；或利用一激光装置搭配一掩膜对所述封装基板进行激光钻孔；或利用一冲孔模具对所述封装基板进行冲压钻孔。
9.一种封装基板的导通结构，其特征在于：所述导通结构包含：
一通孔，形成在一封装基板上；
至少二长槽，其相互分离且沿着与所述封装基板的平面垂直的方向凹设形成在所述通孔的内壁面周围；以及
至少二导电通路，分别形成在所述至少二长槽内。
10.如权利要求9所述的封装基板的导通结构，其特征在于：所述至少二导电通路为附着于所述凹槽表面的一金属层或填充于所述凹槽内的金属条；所述导电通路不延伸至所述通孔的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
