[发明专利]封装基板的导通结构及其制造方法有效
申请号: | 200910200356.9 | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN102097330A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 孙骐;方仁广;罗光淋;高洪涛;林聪志;任金虎 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/48 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种封装基板的导通结构及其制造方法,特别是有关于一种依序通过非圆形钻孔、镀孔及再次钻孔的步骤在封装基板同一通孔中形成多条相互分离的导电通路的导通结构及所述导通结构的制造方法。
【背景技术】
现今,半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求,逐渐发展出各种不同型式的封装构造,其中许多封装构造种类,例如球栅阵列封装构造(ballgrid array,BGA)、针脚阵列封装构造(pin grid array,PGA)或接点阵列封装构造(land grid array,LGA)等,都是以封装基板(substrate)为基础来进行封装架构。在上述封装构造中,所述基板的一上表面承载有至少一芯片,并通过打线(wire bonding)或凸块(bumping)制造过程将芯片的数个接垫电性连接至所述基板的上表面的数个焊垫。同时,所述基板的一下表面亦必需提供大量的焊垫,以焊接数个输出端。所述基板可为单层或多层的印刷电路板,其除了在上、下表面提供表面线路(trace)层以形成所需焊垫之外,其内部亦具有至少一内线路层及数个微孔(via)或镀通孔(plating through hole,PTH)等导通孔构造,以重新安排上、下表面的焊垫的连接关系。
一般封装基板上的导通孔包括盲孔、埋孔及通孔等类型。传统导通孔的做法是使用机械钻孔或者激光(laser)钻孔来制做。以机械钻孔为例,其使用一个高速旋转的钻针来钻过整个基板,以形成通孔。由于钻针的旋转,因此所产生的通孔皆为圆形。接着,通过在圆形通孔内电镀一层铜层,以形成导通孔。如此,即可实现利用导通孔将基板的不同线路层的线路进行连结的目的。
再者,为了满足对封装基板线路布局日益密集化的需求,业界已开发出在一个导通孔内实现多条导电通路的方法,其主要通过将导通孔内的导电层进行分隔,以使其可以分别连结不同的线路。请参照图1A、1B及1C所示,其揭示现有封装基板形成导通结构的制造过程示意图,其制造过程包含下列步骤:提供一封装基板1;使用机械钻孔或者激光钻孔在所述封装基板1上形成至少一通孔11;利用电镀在所述通孔11的内壁电镀上一层导电层12,例如铜层;通过激光去除所述导电层12的数个区段部分,使其剩余的区段部分形成相互分离的数个导电通路121;以及,对所述封装基板1进行表面金属层的图案化,以形成一表面线路13。
然而,上述在同一通孔11内实现多条导电通路121的制造过程在实际使用上仍具有下述问题,例如:所述制造过程是基于钻孔形状为圆形的基础之上,而且由于机台通常只具备单一激光装置,而且激光装置对每一通孔11皆需进行四次加工,因而使得激光装置依序加工各通孔11时耗费颇多加工时间,因此不但使其制作流程较为繁琐复杂,也不利于提升加工速度。再者,通过激光去除所述导电层12的数个区段部分时,若激光入射角度不佳或所述通孔11的孔径过小,其皆可能导致欲去除的区段部分去除不完全,同时也将造成所述封装基板1加工的良品率(yield)降低。
故,有必要提供一种封装基板的导通结构及其制造方法,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种封装基板的导通结构及其制造方法,其依序通过非圆形钻孔、镀孔及再次钻孔的步骤在封装基板的同一通孔中提供多条相互分离的导电通路,因而有利于简化及加速高布线密度封装基板的制作流程,以提高其生产效率。
本发明的次要目的在于提供一种封装基板的导通结构及其制造方法,其中封装基板的每一通孔中具有多条相互分离的导电通路,因而有利于减少封装基板的导通孔总数量及其占用的基板面积,以便将省下的基板面积用于提高封装基板的线路布局密度。
为达成本发明的前述目的,本发明提供一种封装基板的导通结构的制造方法,其特征在于:所述制造方法包含步骤:提供一封装基板;在所述封装基板上形成至少一非圆形通孔;在所述非圆形通孔内对应形成一非圆形导电部柱;以及对应所述非圆形通孔形成一通孔,并且所述通孔将所述非圆形通孔内部的所述非圆形导电部分割成相互分离的至少二剩余部分而形成至少二导电通路。所述制造方法亦可包含步骤:提供一封装基板;在所述封装基板上形成至少一非圆形通孔;在所述非圆形通孔内对应形成一非圆形导电部;以及,对所述非圆形导电部进行钻孔,以去除所述非圆形导电部的一中央部分,而形成一通孔,所述通孔使得所述非圆形导电部剩余的至少二角隅部分形成相互分离的至少二导电通路。
在本发明的一实施例中,在形成所述导电通路之后,另包含:在所述封装基板的至少一表面形成至少一表面线路层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造