[发明专利]一种检测外延缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测外延缺陷的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

在衬底上淀积氧化层；

刻蚀部分所述氧化层，使得部分所述衬底暴露；

生长第一外延层；

刻蚀所述氧化层上的所述第一外延层以及所述氧化层；

生长第二外延层，所述第二外延层的外延材料和所述衬底的材料相同；

分别获得所述第一外延层上的第二外延层部分和所述衬底上的第二外延 层部分的单位体积内的缺陷数，并求得它们之间差的绝对值，作为所述第一 外延层在所述衬底表面生长的单位体积内的缺陷数，所述第一外延层上的第 二外延层部分和所述衬底上的第二外延层部分体积相等。

2.根据权利要求1所述的一种检测外延缺陷的方法，其特征在于所述第 一外延层的外延材料为锗硅、锗硅碳、砷化镓、磷化镓、磷化铟、硫化镉、 硒化镉、碲化锌、硫化锌、硫化铅或硒化铅。

3.根据权利要求1所述的一种检测外延缺陷的方法，其特征在于所述衬 底的材料为硅、锗或碳。

4.根据权利要求1所述的一种检测外延缺陷的方法，其特征在于所述第 二外延层的厚度范围为1纳米至10000微米。