[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 200910202011.7 | 申请日： | 2009-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102104062A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
1.一种双极晶体管，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括：
一集电区，由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成，底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层，所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成；通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极；
一基区，由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成；
一发射区，由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。
2.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：对于NPN晶体管，第一导电类型为N型、第二导电类型为P型；对于PNP晶体管，第一导电类型为P型、第二导电类型为N型。
3.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：在所述有源区小于0.5微米时，形成于所述有源区两侧的浅槽底部的两个赝埋层通过横向扩散而交汇于有源区，形成所述集电区的埋层；在所述有源区大于0.5微米时，在有源区内和所述两个赝埋层相同深度处注入与所述赝埋层导电类型相同的杂质，连接所述两个赝埋层，形成所述集电区的埋层。
4.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述集电区的第一导电类型的杂质离子注入是单步注入或多步注入。
5.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：所述集电区的深槽接触是在深槽中填入钛-氮化钛过渡金属层以及金属钨形成。
6.如权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于：在所述集电区的深槽刻蚀后在所述深槽底部自对准注入第一导电类型杂质，实现集电极的欧姆接触。
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