[发明专利]浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构有效
| 申请号： | 200910202066.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102117794A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;朱东园;范永洁;钱文生;徐炯;陈帆;张海芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/762;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/732;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离工艺 中的 电极 引出 结构 | ||
1.一种浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，有源区由浅沟槽隔离，其特征在于：在所述浅沟槽氧化层底部形成一具有第一导电类型的赝埋层，所述赝埋层进入有源区并和所述有源区中需要引出电极的具有第一导电类型掺杂区域一相连接，通过在所述浅沟槽氧化层中制作深槽接触和所述赝埋层相接引出所述掺杂区域一的电极。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，其特征在于：所述赝埋层为一离子注入层，所具有的第一导电类型为N型或P型，其掺杂浓度满足和所述深槽接触的金属直接形成欧姆接触。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，其特征在于：所述深槽接触是在深槽接触孔中填入钛-氮化钛过渡金属层以及金属钨形成。
4.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，其特征在于：所述赝埋层是在所述浅沟槽形成后、所述浅沟槽氧化层淀积前，通过离子注入形成在所述浅沟槽的正下方，再通过退火工艺使所述赝埋层横向扩散进入有源区与所述掺杂区域一相连。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，其特征在于：所述掺杂区域一为一离子注入层。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，其特征在于：所述电极引出结构为一双极晶体管的集电极的引出结构，所述掺杂区域一为所述双极晶体管的集电区。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，其特征在于：所述电极引出结构为一MOS晶体管中的衬底电极的引出结构，所述掺杂区域一为所述MOS晶体管的源区和漏区间的形成沟道区的衬底或N阱或P阱，其中N阱对应于PMOS晶体管、P阱对应于NMOS晶体管。
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