[发明专利]交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路

权利要求书

1.一种交直流转换整合元件，其特征在于，包含：

第一传导型态的基板；以及

位于基板内的第二传导型态的至少四个井区，每个第二传导型态的井区内包括：

位于第二传导型态井区内的第一传导型态的高浓度掺杂区；及

位于第二传导型态井区内的第二传导型态的高浓度掺杂区；

其中，每个井区与其内的第一与第二传导型态的高浓度掺杂区构成二极管，四个井区构成四个二极管，其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接，此第一相接节点接收一交流电压的一输入，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接，此第二相接节点接收该交流电压的另一输入，该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接，此第三相接节点提供一直流电压的低准位，第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接，此第四相接节点提供一直流电压的高准位；

且其中，此交直流转换整合元件与一直流低压电路制作于同一集成电路中。

2.如权利要求1所述的交直流转换整合元件，其中，还包含一电阻，与该直流电压的高准位节点耦接，以对该直流电压的高准位进行降压。

3.如权利要求2所述的交直流转换整合元件，其中，还包含一拑位电路，以限制降压后该直流电压的高准位与低准位间的压差。

4.如权利要求1所述的交直流转换整合元件，其中，该第一二极管和第二二极管位于该基板上的一区间，该第三二极管和第四二极管位于该基板上的另一区间，且所述的交直流转换整合元件还包含：设置于上述两区间之间的至少一个MOS晶体管，其栅极接收该交流电压的一输入。

5.如权利要求4所述的交直流转换整合元件，其中，在所述两区间之间包含两个MOS晶体管，其栅极分别与该交流电压的两输入耦接。

6.如权利要求1所述的交直流转换整合元件，其中，各二极管中还包括：位于第二传导型态井区内的第一传导型态的浅掺杂区，且第一传导型态的高浓度掺杂区设置于此浅掺杂区内。

7.如权利要求6所述的交直流转换整合元件，其中，第二与第四二极管中，第二传导型态的高浓度掺杂区设置于该浅掺杂区内。

8.如权利要求1所述的交直流转换整合元件，其中，该第一传导型态为P型，第二传导型态为N型。

9.一种集成电路，其特征在于，包含：

一直流低压电路；以及

与该直流低压电路耦接的交直流转换整合元件，该交直流转换整合元件包括四个二极管，其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接，此第一相接节点接收一交流电压的一输入，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接，此第二相接节点接收该交流电压的另一输入，该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接，此第三相接节点提供一直流电压的低准位，第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接，此第四相接节点提供一直流电压的高准位。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中，该第一相接节点与第二相接节点各通过一电阻而耦接一交流电压源。

11.如权利要求9所述的集成电路，其中，还包含：耦接于该交直流转换整合元件与该直流低压电路之间的电阻。

12.如权利要求9所述的集成电路，其中，还包含：与该直流低压电路耦接的拑位电路。

13.如权利要求9所述的集成电路，其中，该交直流转换整合元件中，该第一二极管和第二二极管位于一区间，该第三二极管和第四二极管位于另一区间，且所述的交直流转换整合元件还包括：设置于上述两区间之间的至少一个MOS晶体管，其栅极接收该交流电压。

14.如权利要求13所述的集成电路，其中，在所述两区间之间包含两个MOS晶体管，其栅极分别与该交流电压的两输入耦接。