[发明专利]交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路。

背景技术

将交流电转换为直流电，供应给集成电路内部使用，是电子电路中经常使用到的电路结构。如图1所示，现有技术通常使用桥式整流电路10来达成交直流转换，此桥式整流电路10中包含电阻R1，R2以降压，并以四个二极管12，14，16，18达成整流。整流所产生的直流电压再经过电阻R的降压，并以齐纳二极管Z控制降压后的电压上限，之后供应给后级电路50使用。后级电路50可以为各种操作在直流低压下的电路(以下简称低压电路)，例如光学传感器、LED控制电路等等。

现有技术中，桥式整流电路10必须以独立二极管元件来制作，无法与其它电路元件一同整合在集成电路之内，是一项有待改进之处。

有鉴于此，本发明即提出一种能够与低压电路一同整合在集成电路的内的交直流转换整合元件，与使用该元件的集成电路。

发明内容

本发明目的之一在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种能够与低压电路一同整合在集成电路之内的交直流转换整合元件。

本发明的又一目的在于，提出一种使用交直流转换整合元件的集成电路。

为达上述目的，就其中一个观点而言，本发明提供了一种交直流转换整合元件，包含：(1)第一传导型态的基板；以及(2)位于基板内的第二传导型态的至少四个井区，每个第二传导型态的井区内包括：(a)位于第二传导型态井区内的第一传导型态的高浓度掺杂区；及(b)位于第二传导型态井区内的第二传导型态的高浓度掺杂区；其中，每个井区与其内的第一与第二传导型态的高浓度掺杂区构成二极管，四个井区构成四个二极管，其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接，此第一相接节点接收一交流电压的一输入，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接，此第二相接节点接收该交流电压的另一输入，该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接，此第三相接节点提供一直流电压的低准位，第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接，此第四相接节点提供一直流电压的高准位；且其中，此交直流转换整合元件与一直流低压电路制作于同一集成电路中。

在其中一种较佳实施形式中，该交直流转换整合元件的各二极管中更包括：位于第二传导型态井区内的第一传导型态的浅掺杂区，且第一传导型态的高浓度掺杂区设置于此浅掺杂区内。在此较佳实施形式中，第二与第四二极管中的第二传导型态的高浓度掺杂区设置于该浅掺杂区内。

在其中一种较佳实施形式中，该第一二极管和第二二极管位于一区间，该第三二极管和第四二极管位于另一区间，且所述的交直流转换整合元件更包括：设置于上述两区间之间的两个MOS晶体管，其栅极分别与该交流电压的两输入耦接。

为达上述目的，就另一个观点言，本发明提供了一种集成电路，包含：一直流低压电路；以及与该直流低压电路耦接的交直流转换整合元件，该交直流转换整合元件包括四个二极管，其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接，此第一相接节点接收一交流电压的一输入，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接，此第二相接节点接收该交流电压的另一输入，该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接，此第三相接节点提供一直流电压的低准位，第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接，此第四相接节点提供一直流电压的高准位。

以上集成电路中，可更包含：耦接于该交直流转换整合元件与该直流低压电路之间的电阻，以及与该直流低压电路耦接的拑位电路。该拑位电路例如为齐纳二极管。

在其中一种较佳实施形式中，该第一二极管和第二二极管位于一区间，该第三二极管和第四二极管位于另一区间，且所述的交直流转换整合元件更包括：设置于上述两区间之间的两个MOS晶体管，其栅极分别与该交流电压的两输入耦接。

下面通过具体实施例详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1说明现有技术的电路结构；

图2举例说明如何制作可与其它电路整合的二极管；

图3与图4分别表示本发明的两个实施例。

图中符号说明

10                    桥式整流电路

12，14，16，18        二极管

13，17                MOS晶体管

13G，17G              栅极

20                    基板

22                    N型井区

30                    基板