[发明专利]NAND闪速存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种闪速存储器器件，包括：

多个存储块，所述每个存储块包括具有第一选择晶体管的NAND单元单位，所述第一选择晶体管串联连接到通过各自的字线而被控制的多个存储器单元，其中，所述第一选择晶体管是能用于存储数据的存储器晶体管。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述NAND单元单位还包括与所述多个存储器单元串联连接的第二选择晶体管，其中，所述第二选择晶体管是存储器晶体管。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，通过串选择线来控制所述第一选择晶体管，所述第一选择晶体管是串选择晶体管SST，并且其中，通过地选择线来控制所述第二选择晶体管，所述第二选择晶体管是地选择晶体管GST。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一选择晶体管被构造成具有可变的可编程阈值电压。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一选择晶体管被构造成被编程或被编程禁止，然后被检验，以具有对应的阈值电压。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，通过与所述第一选择晶体管连接的位线的位线偏置，执行所述第一选择晶体管的编程禁止。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述位线偏置包括向所述位线施加高于零的电压。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一选择晶体管是具有控制栅和浮置栅的存储器晶体管。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一选择晶体管的所述控制栅被形成为不具有与其浮置栅的对接接触。

10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一选择晶体管的所述控制栅的栅长度与连接到所述字线的所述存储器晶体管的所述控制栅的所述栅长度基本相同。

11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一选择晶体管是地选择晶体管GST。

12.根据权利要求1所述的器件，其中，NAND单元单位还包括与所述多个存储器单元串联连接的第二选择晶体管，其中，所述第二选择晶体管不是存储器晶体管。

13.一种对闪速存储器器件编程的方法，所述闪速存储器器件具有在多个存储块的每个中的多个NAND单元单位、由各自的字线控制的每个NAND单元单位中的多个存储器单元晶体管、与存储块中的每个NAND单元单位中的第一选择晶体管连接的第一选择线，其中，每个第一选择晶体管是与每个NAND单元单位中的多个存储器单元晶体管串联连接的存储器晶体管，所述方法包括：

同时擦除所述多个存储块之中的第一存储块中的所有存储器单元晶体管；

对所述第一存储块中与第一字线连接的所有存储器单元晶体管编程；以及

对所述第一存储块的所有NAND单元单位中的所有所述第一选择晶体管编程或编程禁止。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括检验所述每个第一选择晶体管的阈值电压，以具有预定的阈值电压。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，通过位线偏置来执行所述第一选择晶体管的编程禁止。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述位线偏置的步骤包括向位线施加高于零的电压。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一选择晶体管是串选择晶体管SST，并且所述第一选择线是串选择线SSL。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一选择晶体管是地选择晶体管GST，并且所述第一选择线是地选择线GSL。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述闪速存储器器件的所述存储器单元晶体管是电荷捕获型的存储器晶体管。

20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述闪速存储器器件的所述存储器单元晶体管是浮置栅型的存储器晶体管，并且其中，所述第一选择晶体管是浮置栅型的存储器晶体管。