[发明专利]制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制造一半导体元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成一栅介电质层于一半导体基材上；

形成一第一电极层于该栅介电质层上，该第一电极层是未掺杂的；

掺杂该第一电极层，该掺杂是至少一部分以原子层掺杂进行；以及

形成一第二电极层于该第一电极层上，该第二电极层是掺杂的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其还包括：在该掺杂第一电极层之前，薄化该第一电极层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第一电极层被掺杂为一第一导电型，且更包括：

掺杂该第二电极层的一部分为一第二导电型；以及

将被掺杂为该第二导电型的该第二电极层的该部分移除。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的形成该第二电极层的步骤包括：形成一未掺杂层，以及以离子植入掺杂该未掺杂层。

5.一种制造一半导体元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成一栅介电质层于一半导体基材的一P型金属氧化物半导体(PMOS)区以及一N型金属氧化物半导体(NMOS)区上；

形成一第一电极层于该PMOS区以及该NMOS区的该栅介电质层上，该第一电极层是未被掺杂；

掺杂该第一电极层为一第一导电型，该掺杂是至少部分以原子层掺杂进行，其中该第一导电型为p型；

形成一第二电极层于该第一电极层上；

移除该NMOS区的该第二电极层；以及

形成一第三电极层于该NMOS区的该第一电极层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于其中在该掺杂该第一电极层之前，移除该PMOS区中该第一电极层的至少一部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于其中所述的掺杂该第一电极层的步骤包含掺杂该NMOS区中该第一电极层的一上部。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于其还包括：移除该NMOS区中该第一电极层的该掺杂的上部。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于其还包括：

在移除该NMOS区的该第二电极层之后，且在形成该第三电极层之前，形成一n型原子层于该NMOS区的第一电极层上；以及

在形成该第三电极层之后，将该半导体基材退火，以将该NMOS区的该第一电极层转变为一n型扩散层。 

10.一种制造一半导体元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成一介电质层于一半导体基材的一第一区以及一第二区上；

形成一第一含硅层于该第一区以及该第二区的该介电质层上，该第一含硅层是未掺杂的；

形成一第一导电型的一原子层于该第一含硅层上；

将该半导体基材退火；

形成一第二含硅层于该第一含硅层上；

移除该第二区的该第二含硅层；以及

形成一第三含硅层于该第二区的该第一含硅层上。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于其还包括：在形成该第一含硅层上的该原子层之前，移除该第一区中该第一含硅层的至少一部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于其还包括：

在移除该第二区的该第二含硅层之后，且在形成该第三含硅层之前，

形成一第二导电型的一原子层于该第二区的该第一含硅层上；以及

在形成该第三含硅层之后，将该半导体基材退火。