[发明专利]多晶硅还原炉高压启动绝缘电极有效
申请号: | 200910203791.7 | 申请日: | 2009-06-16 |
公开(公告)号: | CN101581542A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 王清华 | 申请(专利权)人: | 重庆大全新能源有限公司 |
主分类号: | F27D11/10 | 分类号: | F27D11/10;C30B29/06;C01B33/03 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙长龙 |
地址: | 404000重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 还原 高压 启动 绝缘 电极 | ||
技术领域
本发明涉及绝缘电极,确切地说是多晶硅还原炉高压启动绝缘电极。
背景技术
目前,国内外多晶硅还原炉硅芯击穿启动,主要依靠电辐射加热器加 热来降低硅芯电阻率后满足低电压启动要求;使得启动过程时间较长,很 大程度上影响了生产效率,由此采用高压启动方式加快启动时间成为新工 艺的重点所向,用高电压产生强电场在很短时间就能改变硅芯导电特性, 使其内阻降低、导通电流迅速上升,从而使硅料内部的温度很快上升,大 大缩短了启动时间,提高了加工效率,从而降低能耗和提高产品质量。
由于国内多晶硅生产技术、设备主要依靠进口,其还原炉设计为低压 启动模式;要在此基础上实现高压启动除了增加高压启动设备外,最主要 的是解决还原炉电极的绝缘结构和密封结构从而满足高压启动要求。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明旨在提供一种多晶硅还原炉高压 启动绝缘电极。
本发明采用的技术方案是:
一种多晶硅还原炉高压启动绝缘电极,该电极穿装在多晶硅还原炉炉 体的安装孔中,呈“T”型结构,其位于炉内部分的“T”型头与炉体之间 套设有瓷环,位于炉外的部分套设有聚四氟环,“T”型头与瓷环以及 瓷环与炉体之间分别设有密封垫,电极在安装孔中套设有绝缘筒,绝 缘筒上端向内缩进一定距离,与瓷环伸入安装孔的端部之间设有柔性密 封垫,绝缘筒下端与聚四氟环密封,电极表面在瓷环与绝缘筒交界处 开设有环形槽,其内用耐高温绝缘带和耐高温绝缘漆包裹处理。
所述瓷环采用碳化硅或氮化硅材料。
所述绝缘筒为聚四氟乙烯绝缘筒。
所述瓷环与绝缘筒之间的密封垫采用电绝缘耐高温的膨胀聚四氟 乙烯密封垫。
所述耐高温绝缘带采用软质云母带或聚四氟乙烯,耐高温绝缘漆 采用有机硅。
所述电极表面的环形槽长35-60mm、深1.5-2mm。
所述“T”型头与瓷环以及瓷环与炉体之间的密封垫采用固力特密 封材料或不锈钢包边增强柔性石墨垫。
所述绝缘筒下端与聚四氟环之间设有两个带有橡胶密封圈的迷宫 式密封结构。
所述橡胶密封圈采用氟橡胶密封圈。
本发明经过电气试验证明,在额定工况下,此结构能承受的峰值 电压为25kv,在聚四氟乙烯绝缘柱的电极内径和外径间没有局部放 电现象,电极密封性能良好,完全能满足还原炉高压启动10KV的要 求。
附图说明
图1是本发明多晶硅还原炉高压启动绝缘电极的剖视图。
附图标记说明如下:
11——电极 12——瓷环
13——聚四氟环 14——密封垫
15——绝缘筒 16——密封垫
17——橡胶密封圈 18——环形槽
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步详细的说明。
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