[发明专利]多晶硅还原炉高压启动绝缘电极有效

专利信息
申请号: 200910203791.7 申请日: 2009-06-16
公开(公告)号: CN101581542A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 王清华 申请(专利权)人: 重庆大全新能源有限公司
主分类号: F27D11/10 分类号: F27D11/10;C30B29/06;C01B33/03
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 孙长龙
地址: 404000重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 多晶 还原 高压 启动 绝缘 电极
【说明书】:

技术领域

发明涉及绝缘电极,确切地说是多晶硅还原炉高压启动绝缘电极。

背景技术

目前,国内外多晶硅还原炉硅芯击穿启动,主要依靠电辐射加热器加 热来降低硅芯电阻率后满足低电压启动要求;使得启动过程时间较长,很 大程度上影响了生产效率,由此采用高压启动方式加快启动时间成为新工 艺的重点所向,用高电压产生强电场在很短时间就能改变硅芯导电特性, 使其内阻降低、导通电流迅速上升,从而使硅料内部的温度很快上升,大 大缩短了启动时间,提高了加工效率,从而降低能耗和提高产品质量。

由于国内多晶硅生产技术、设备主要依靠进口,其还原炉设计为低压 启动模式;要在此基础上实现高压启动除了增加高压启动设备外,最主要 的是解决还原炉电极的绝缘结构和密封结构从而满足高压启动要求。

发明内容

针对现有技术存在的不足,本发明旨在提供一种多晶硅还原炉高压 启动绝缘电极。

本发明采用的技术方案是:

一种多晶硅还原炉高压启动绝缘电极,该电极穿装在多晶硅还原炉炉 体的安装孔中,呈“T”型结构,其位于炉内部分的“T”型头与炉体之间 套设有瓷环,位于炉外的部分套设有聚四氟环,“T”型头与瓷环以及 瓷环与炉体之间分别设有密封垫,电极在安装孔中套设有绝缘筒,绝 缘筒上端向内缩进一定距离,与瓷环伸入安装孔的端部之间设有柔性密 封垫,绝缘筒下端与聚四氟环密封,电极表面在瓷环与绝缘筒交界处 开设有环形槽,其内用耐高温绝缘带和耐高温绝缘漆包裹处理。

所述瓷环采用碳化硅或氮化硅材料。

所述绝缘筒为聚四氟乙烯绝缘筒。

所述瓷环与绝缘筒之间的密封垫采用电绝缘耐高温的膨胀聚四氟 乙烯密封垫。

所述耐高温绝缘带采用软质云母带或聚四氟乙烯,耐高温绝缘漆 采用有机硅。

所述电极表面的环形槽长35-60mm、深1.5-2mm。

所述“T”型头与瓷环以及瓷环与炉体之间的密封垫采用固力特密 封材料或不锈钢包边增强柔性石墨垫。

所述绝缘筒下端与聚四氟环之间设有两个带有橡胶密封圈的迷宫 式密封结构。

所述橡胶密封圈采用氟橡胶密封圈。

本发明经过电气试验证明,在额定工况下,此结构能承受的峰值 电压为25kv,在聚四氟乙烯绝缘柱的电极内径和外径间没有局部放 电现象,电极密封性能良好,完全能满足还原炉高压启动10KV的要 求。

附图说明

图1是本发明多晶硅还原炉高压启动绝缘电极的剖视图。

附图标记说明如下:

11——电极    12——瓷环

13——聚四氟环      14——密封垫

15——绝缘筒        16——密封垫

17——橡胶密封圈    18——环形槽

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明作进一步详细的说明。

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