[发明专利]光掩膜图形的形成方法及光掩膜层无效
| 申请号： | 200910204195.0 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102043327A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄旭鑫 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光掩膜 图形 形成 方法 光掩膜层 | ||
1.一种光掩膜图形的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体基底；
在半导体基底上形成光刻胶层；
在所述光刻胶层上形成亲水层，所述亲水层和光刻胶层构成光掩膜层；
透光掩膜板对所述光掩膜层曝光；
对曝光后的光掩膜层显影，去除被曝光的光掩膜层，形成光掩膜层图形。
2.根据权利要求1所述的光掩膜图形的形成方法，其特征在于，所述亲水层的材料为：CH3COCH3。
3.根据权利要求1所述的光掩膜图形的形成方法，其特征在于，还包括在所述亲水层和光刻胶层之间形成顶部抗反射层。
4.根据权利要求3所述的光掩膜图形的形成方法，其特征在于，顶部抗反射层的分子式是C8F17SO3。
5.根据权利要求1所述的光掩膜图形的形成方法，其特征在于，还包括在所述半导体基底和所述光刻胶层之间形成底部抗反射层。
6.一种光掩膜层，其特征在于，包括：
位于半导体基底上的光刻胶层；
位于光刻胶层上的亲水层。
7.根据权利要求6所述的光掩膜层，其特征在于，所述亲水层的材料为：CH3COCH3。
8.根据权利要求6所述的光掩膜层，其特征在于，还包括位于所述亲水层和光刻胶层之间的顶部抗反射层。
9.根据权利要求8所述的光掩膜层，其特征在于，顶部抗反射层的分子式是C8F17SO3。
10.根据权利要求6所述的光掩膜层，其特征在于，还包括位于所述半导体基底和所述光刻胶层之间的底部抗反射层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
