[发明专利]用于沉积膜的方法和膜沉积装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于沉积膜的方法，以及一种用于沉积这 种膜的膜沉积装置，该膜为例如用于有机场致发光元件(有机EL元 件)的有机膜。

背景技术

包括有发射R(红)、G(绿)和B(蓝)光的有机EL元 件的有机EL显示器因为一般不需要滤色器而具有良好发光效率的优 点。有机EL元件中用于发彩色光的发光层通常以图案形式形成为膜。 通常，膜由诸如掩模沉积或激光转印的干法工艺或诸如喷墨法的湿法 工艺形成。因为有机EL元件容易受到湿气的影响，所以目前主要采 用干法工艺。

近年来，越来越要求有机EL元件具有更高的发光效率。 因此，因为水会导致发光效率的降低，所以进行掩模沉积时，可能需 要给膜沉积装置提供降低含水量的高纯度有机材料。但是，存在以下 可能性：在市售有机材料通过升华被提纯之后，并且在已提纯材料提 供给膜沉积装置之前，该市售有机材料可能暴露于空气中并吸收湿气。 为了解决这个问题，如日本专利公开No.2006-131931中所公开的，提 出了一种膜沉积方法，其中在有机材料通过升华被提纯之后以及已提 纯材料提供给膜沉积装置之前，该有机材料不暴露于空气，并且沉积 该材料的膜。

日本专利公开No.2006-131931公开了一种方法，其中用 于收集被升华以便提纯的有机材料的收集元件被用作坩埚并放置在沉 积装置中，并且使用该收集元件(即坩埚)进行膜沉积。该方法非常 有利，因为被提纯的有机材料不暴露于空气，从而可以抑制类似污染 或吸收湿气的不利影响。但是，由于有机材料是通过提供温度梯度而 在升华-提纯步骤中进行收集，所以收集元件(坩埚)中获得的有机材 料是粉末形式，并且充填率低。这里，材料的充填率可以用以下公式 表示： 材料的充填率＝M/(V×ρ)×100 M：坩埚中容纳的材料的质量 V：坩埚中材料的体积 ρ：材料的密度

当使用普通的圆筒形坩埚时，坩埚中材料的体积V可以用 以下公式表示： V＝S×H S：坩埚底部内侧的面积 H：从坩埚底部内侧到坩埚中容纳的材料的平均高度的距离

当装在坩埚中的有机材料具有低充填率时，坩埚中空隙的 比例一般较高。这些空隙会抑制材料中的均匀导热，这将导致可能费 时间来稳定膜沉积以及膜沉积速度可能不稳定的问题。

发明内容

在本发明的一个方面中，用于沉积膜的方法包括：准备通 过升华而被提纯的沉积材料，在降低含水量的环境中固化已被提纯的 沉积材料，将已固化的沉积材料通过降低含水量的环境输送到膜沉积 室中，以及将已固化的沉积材料的膜沉积在膜沉积室中的基板上。

在本发明的另一个方面中，膜沉积装置包括用于将沉积材 料的膜沉积在基板上的膜沉积室、用于容纳通过升华而被提纯的沉积 材料的坩埚以及用于在降低含水量的环境中将容纳在坩埚中的沉积材 料固化的预处理室。该膜沉积装置还包括输送单元，该输送单元构造 成将坩埚从预处理室通过降低含水量的环境输送到膜沉积室。

本发明的进一步特征将在参考附图进行的典型实施例的 以下描述中变得明显。

附图说明

图1是在例1的膜沉积装置中的预处理材料步骤的示意 图；

图2是在例1的膜沉积装置中的输送步骤的示意图；

图3是在例1的膜沉积装置中的膜沉积步骤的示意图；

图4示出了例2中的膜沉积装置。

具体实施方式