[发明专利]一种用于功率半导体器件的混合合金引线框架

权利要求书

1.一种功率半导体器件的混合合金引线框架阵列，其特征在于，包括：

多个散热片(1，1′，1″)、一个引脚阵列(2，2′，2″)；

所述的散热片(1，1′，1″)由第一种材料制成，其上部设有散热片定位孔(13，13′，13″)，下部中央部位设有散热片焊接区(12，12′，12″)；

所述的引脚阵列(2，2′，2″)由与第一种材料不同的第二种材料制成，设置在上下两个散热片(1，1′，1″)之间，该引脚阵列(2，2′，2″)上下两端分别引出多个引脚端子组(21，21′，21″)。

2.如权利要求1所述一种功率半导体器件的混合合金引线框架，其特征在于，所述的每个散热片(1，1″)上还包括一个芯片载片台(4，4″)。

3.如权利要求1所述一种功率半导体器件的混合合金引线框架，其特征在于，所述的每个引脚端子组(21，21′，21″)包含三个引脚端子，每个引脚端子组(21，21′，21″)的中间引脚端子上分别设有与散热片焊接区(12，12′，12″)对应的引脚焊接区(211，211′，211″)。

4.如权利要求3所述一种功率半导体器件的混合合金引线框架，其特征在于，所述的每个引脚焊接区(211′)上延伸出一个芯片载片台(4′)。

5.如权利要求1所述一种功率半导体器件的混合合金引线框架，其特征在于，所述的第一种材料为铝合金。

6.如权利要求1所述一种功率半导体器件的混合合金引线框架，其特征在于，所述的散热片(1，1′，1″)的厚度为2mm。

7.如权利要求1所述一种功率半导体器件的混合合金引线框架，其特征在于，所述的第二种材料为铜合金。

8.一种应用混合合金引线框架封装功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、制作引线框架组焊板(3，3′，3″)，该引线框架组焊板(3，3′，3″)的上部和下部对应设置多组凹槽(31，31′，31″)，每个凹槽(31，31′，31″)内设置若干个散热片定位柱(311，311′，311″)，在引线框架组焊板(3，3′，3″)的中部设置多个引脚定位柱(32，32′，32″)；

步骤2、制作散热片(1，1′，1″)，在散热片(1，1′，1″)的上部设置一个散热片定位孔(13，13′，13″)，在散热片(1，1′，1″)的下部中央部位设置散热片焊接区(12，12′，12″)；

步骤3、制作引脚阵列(2，2′，2″)，在引脚阵列(2，2′，2″)上下两端分别引出多组三个一组的引脚端子组(21，21′，21″)，其中，在引脚端子组(21，21′，21″)的中间引脚端子上分别设置与散热片焊接区(12，12′，12″)对应的引脚焊接区(211，211′，211″)，两个引脚端子组(21，21′，21″)之间设置多个引脚定位孔(22，22′，22″)；

步骤4、通过引线框架组焊板(3，3′，3″)的散热片定位柱(311，311′，311″)及散热片定位孔(13，13′，13″)，将散热片(1，1′，1″)定位在引线框架组焊板(3，3′，3″)的凹槽(31，31′，31″)内；

步骤5、通过引线框架组焊板(3，3′，3″)的引脚定位柱(32，32′，32″)及引脚定位孔(22，22′，22″)，将引脚(2，2′，2″)定位在引线框架组焊板(3，3′，3″)上的上下散热片(1，1′，1″)之间的部位；

步骤6、将散热片(1，1″，1″)和引脚(2，2′，2″)连接；

步骤7、从引线框架组焊板(3，3′，3″)上卸下连接在一起的散热片(1，1′，1″)和引脚(2，2′，2″)，清洗散热片(1，1′，1″)和引脚(2，2′，2″)。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，步骤2还包括

步骤2.1、在散热片(1，1″)上设置芯片载片台(4，4″)。

10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，步骤3还包括：

步骤3.1、引脚焊接区(211′)上延伸出芯片载片台(4′)；

步骤3.2、将芯片(6′)固定在芯片载片台(4′)上；

步骤3.3、通过引线(5′)将芯片(6′)与引脚(2′)的引脚端子(21′)连接。