[发明专利]具有减少极化感应电荷的高效能发光器

权利要求书

1.一种发光器，其特征在于所述发光器包括：

若干层，所述若干层包括：

-n型接触层；

-p型接触层；以及

-活化区，它夹在包覆层之间，所述活化区和包覆层位于所述n型和 p型接触层之间；

穿过所述活化区的偶极子，所述偶极子由沿所述活化区与所述包覆层 界面的界面电荷板形成，所述偶极子产生穿过所述活化区的极化感应电 场，它降低所述发光器的发光效率；和

其中，形成所述若干层中至少一层以取消或降低所述极化感应电场， 所述至少一层是从如下组中选出的，所述组包括被选择性掺杂的包覆层 和/或活化区，含中间材料成分的包覆层，具有连续或非连续地分级的 成分或者两种材料变化的周期超晶格的成分分级的包覆层，具有连续或 非连续地分级的成分的活化区，具有四元成分的包覆层，组分反向生长 的包覆层，包括交替的发光和非发光层的多层活化区，其中所述非发光 层使注入的载体限制在所述发光层内并抵消极化感应电场，和生长得足 够厚以引起应力消除的活化区或位于活化区之下的具有改变的晶格常数 以减小应力的缓冲层和/或包覆层。

2.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：所述活化区包括InGaN 并且In被加在至少一个所述包覆层中，使得至少一个包覆层包括 A1_xIn_yGa_1-x-yN，其中0＜x＜1，0＜y＜1，所述包覆层中的In抵消了在所述 包覆层附近产生界面电荷板的A1的效应。

3.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：成分梯度存在于至少 一个所述包覆层中，所述成分梯度产生的空间电荷与所述具有分级的成 分的包覆层和所述活化区之间界面处的界面电荷板相反。

4.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：成分梯度存在于所述活 化区中，所述成分梯度产生的准电场用来抵消所述极化感应电场的影响。

5.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：掺杂物存在于所述包覆 层中至少一层，以通过在所述具有掺杂物的包覆层附近的所述界面电荷 板处消除至少一些电荷来减小所述极化感应电场。

6.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：通过倒转所述活化区中 化合物的生长次序来变换所述活化区原子偶极子，使得在打开所述发光 器之前就筛分所述界面电荷板。

7.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：所述p型接触层按生长 次序先于所述n型接触层，使得在打开所述发光器之前筛分所述界面电 荷板。

8.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：位于所述活化区之下 的至少一个所述包覆层具有一平面内晶格常数，所述平面内晶格常数减 小或倒转所述活化区经历的应变，在所述活化区之下的所述包覆层的平 面内晶格常数在数值上接近于所述活化区的平面内晶格常数。

9.如权利要求1所述的发光器，其特征在于：位于所述活化区之下 的多个层中的缓冲层具有一平面内晶格常数，所述平面内晶格常减小或 倒转所述活化区经历的应变，其中所述缓冲层的平面内晶格常数在数值 上接近于所述活化区的平面内晶格常数。