[发明专利]倾斜传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910205423.6 申请日: 2009-10-23
公开(公告)号: CN101726282A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 堀尾友春;藤谷谕 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: G01C9/10 分类号: G01C9/10;C25D5/10;C25D5/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;李巍
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 倾斜 传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种倾斜传感器,包括:

沿检测目标平面的表面方向相互隔开的光发射元件和一对光接收 元件;

适于采取完全光屏蔽位置、部分光屏蔽位置和非光屏蔽位置中的 任何一种的转动部件,所述完全光屏蔽位置是所述转动部件挡住从所 述光发射元件发出的光使得光不到达所述一对光接收元件中的任一光 接收元件的位置,所述部分光屏蔽位置是所述转动部件挡住从所述光 发射元件发出的光使得光只到达所述一对光接收元件中的一个光接收 元件的位置,所述非光屏蔽位置是所述转动部件不挡住从所述光发射 元件发出的光使得光到达所述一对光接收元件中的两个光接收元件的 位置;

形成有用于容纳所述转动部件的内部空间的外壳;以及

暴露于所述内部空间的不规则的顶板表面,

所述转动部件是具有垂直于所述表面方向的中心轴的圆柱形部 件,

所述不规则的顶板表面设有多个突起,当沿垂直于所述表面方向 的方向观察时,每个所述突起的面积小于所述转动部件的面积,

所述突起以小于所述转动部件的直径的间隔进行布置。

2.如权利要求1所述的倾斜传感器,其中所述突起横截面为圆形。

3.如权利要求1所述的倾斜传感器,其中所述突起包括以放射状 延伸的方式布置的细长突起。

4.如权利要求1所述的倾斜传感器,进一步包括设有所述顶板表 面的盖子,其中所述突起由形成在所述盖子上的电镀膜构成。

5.如权利要求4所述的倾斜传感器,进一步包括:与所述盖子直 接接触的基底电镀层;以及在所述基底电镀层上形成的中间电镀层; 其中所述基底电镀层的面积大于所述突起的面积,所述中间电镀层具 有与所述突起相对应的形状,并且所述突起在所述中间电镀层上形成。

6.如权利要求5所述的倾斜传感器,其中所述基底电镀层和所述 突起由铜制成,并且所述中间电镀层包括镍层和铜层,所述镍层靠近 所述基底电镀层,所述铜层靠近所述突起。

7.如权利要求5所述的倾斜传感器,进一步包括用于覆盖所述突 起和所述基底电镀层的外电镀层,所述外电镀层包括由金制成的正表 面。

8.一种用于制造如权利要求1所述的倾斜传感器的方法,所述方 法包括以下步骤:

在设有顶板表面的盖板上形成基底电镀层;

形成覆盖所述基底电镀层的中间电镀层;

形成覆盖所述中间电镀层的突起生长层;

通过使所述突起生长层和部分所述中间电镀层图案化而形成多个 突起;以及

形成覆盖所述突起和所述基底电镀层的外电镀层。

9.如权利要求8所述的方法,其中所述中间电镀层包括靠近所述 基底电镀层的第一层和靠近所述突起的第二层,所述第一层的材料与 所述第二层和所述基底电镀层的材料不同,并且所述第二层的材料与 所述突起生长层的材料相同。

10.如权利要求9所述的方法,其中所述突起的形成包括第一蚀刻 和所述第一蚀刻之后的第二蚀刻,执行所述第一蚀刻以选择性地蚀刻 掉所述第二层和所述突起生长层而允许保留所述第一层,执行所述第 二蚀刻以选择性地蚀刻掉所述第一层而允许保留所述基底电镀层。

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