[发明专利]晶圆测试方法有效
申请号: | 200910205435.9 | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN102044462A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 杨晓寒 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体测试领域,尤其涉及晶圆测试方法。
背景技术
半导体组件的制造过程,大致上可分为晶圆制造、晶圆测试、封装及最后的测试。晶圆制造是在硅晶圆上制作电子电路组件的过程,制作完成之后,晶圆上形成阵列排列的芯片(die),然后进行晶圆测试步骤以对芯片作电性测试,将不合格的芯片淘汰,并将晶圆切割成若干个芯片;最后,封装是将合格的芯片进行包装与打线,形成封装后的芯片,最后需要再进行电性测试以确保集成电路的质量。
关于晶圆测试技术,依晶圆制造的不同阶段,分为芯片测试与成品测试两种。前者是以探针在产品仍处于晶圆制造阶段时进行的芯片良莠测试。对体积更小、功能更强的芯片的需求正推动集成电路产业的发展,同时也推动着集成电路设计和测试的发展。降低测试成本成为晶圆测试发展的首要目标,未来集成电路测试设备制造商面临的最大挑战是如何降低测试成本。
提高测试速度和测试智能化是减低成本的必要途径。目前普遍采用的测试原则如图1所示,由于每片晶圆10上包含若干单元(图中大方形标示),所述各单元内具有多类项目芯片(图中示出9类),而每一类项目芯片都有确定的测试程序与之对应,其中各测试程序使用相应的测试向量。因此,现有技术在测试晶圆时,先用第一测试程序按位置顺序依次测试各单元内的相同类型的第一类项目芯片1,即测试过程中晶圆移动的步距为从一个单元的第一类项目芯片1依序移至下一个单元的第一类项目芯片1;如果通过第一测试程序测试,则判定该芯片合格且进行下一个同类型芯片的测试;如果不能通过第一测试程序测试,则判定该芯片失效且进行下一个同类型芯片的测试。在完成晶圆上所有第一类项目芯片1的测试后,进行退片,校正探针,用第二测试程序按上述顺序依次测试各单元内的第二类项目芯片2;如果通过第二测试程序测试,则判定该芯片合格且进行下一个同类型芯片的测试;如果不能通过第二测试程序测试,则判定该芯片失效且进行下一个同类型芯片的测试。......在完成晶圆上所有第八类项目芯片8的测试后,进行退片,校正探针后,用第九测试程序依次测试各单元内的第九类项目芯片9;如果通过第九测试程序测试,则判定该芯片合格且进行下一个同类型芯片的测试;如果不能通过第九测试程序测试,则判定该芯片失效且进行下一个同类型芯片的测试。
图2为现有技术对晶圆中单元内一类项目芯片进行测试的测试程序,执行步骤S11,开始测试;执行步骤S12,设定测试程序,所述各测试程序使用相应的测试向量;执行步骤S13,判断是否通过测试;执行步骤S14,如果通过测试,则判定该芯片合格,并依次对下一个单元内的同类型芯片进行测试;执行步骤S15,如果不通过测试,则判定该芯片失效,并依次对下一个单元内的同类型芯片进行测试。
现有晶圆的测试方法,由于是同一类项目的芯片进行一起测试的,测试过程中晶圆移动的步距大,如图1中示出的对第一类项目芯片1进行测试移动的路线,造成晶圆不可测或损坏的问题。另外,同一类项目的芯片采用一个测试程序,而晶圆上具有多类项目芯片,因此需要有不同版本的程序与之对应,程序版本多,效率低;并且测试完一个同类项目芯片后,要经过退片和校正探针,重新进行其它类项目芯片的测试,测试效率低。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种晶圆测试方法,防止测试效率低,晶圆不可测或损坏。
为解决上述问题,本发明提供一种晶圆测试方法,包括:提供一晶圆,所述晶圆上具有若干个芯片,所述若干芯片分成若干个类型;提供若干个分别与芯片类型一一对应的测试程序;将所述若干测试程序按位置顺序对若干芯片进行一一测试;在测试过程中,若某一芯片通过某一测试程序测试,将该芯片归类为该测试程序对应的芯片类型,且进行下一位置芯片测试;若某一芯片不能通过所有测试程序的测试,则判断该芯片失效,并进行下一位置芯片测试直至测试完晶圆上所有芯片。
可选的,所述芯片类型的数量小于等于芯片的数量。
可选的,所述按位置顺序依次对各芯片进行测试是由第一个芯片至最后一个芯片按横向依次对各芯片进行测试或由最后一个芯片至第一个芯片按横向依次对各芯片进行测试或由第一个芯片至最后一个芯片按纵向依次对各芯片进行测试或由最后一个芯片至第一个芯片按纵向依次对各芯片进行测试。
可选的,所述晶圆上包括至少一个单元,各单元内具有多类项目芯片阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造