[发明专利]用于有机发光二极管显示装置的蚀刻剂组合物

权利要求书

1.一种蚀刻剂组合物，包括：

过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)20-30wt％；

硝酸基化合物1-5wt％；

乙酸基化合物0.1-5wt％；

含氟基化合物0.2-5wt％；

含硼化合物0.01-3wt％；以及

水39-73wt％，但是不含唑基化合物。

2.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该硝酸基化合物包括硝酸、硝 酸盐或者它们的混合物。

3.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该硝酸基化合物包括选自 HNO₃、KNO₃、NH₄NO₃、Cu(NO₃)₂·3H₂O、Zn(NO₃)₂·6H₂O、Ca(NO₃)₂·4H₂O、 NaNO₃、Ba(NO₃)₂、Ce(NO₃)₃、LiNO₃、Mg(NO₃)₂、Mn(NO₃)₂、AgNO₃和Fe(NO₃)₃组成的组中的至少一种化合物。

4.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该乙酸基化合物包括乙酸、乙 酸盐或者它们的混合物。

5.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该乙酸基化合物包括选自乙酸、 乙酸铵、乙酸钾、乙酸钠和亚氨基二乙酸(HN(CH₂COOH)₂)组成的组中的至 少一种化合物。

6.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该含氟基化合物包括选自MgF₂、 HF、H₂SiF₆、NaF、NaHF₂、NH₄F、NH₄HF₂、NH₄BF₄、KF、KHF₂、AlF₃和 HBF₄组成的组中的至少一种化合物。

7.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该含氟基化合物包括被缓冲的 氢氟酸。

8.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中该含硼化合物包括选自H₃BO₃、 B₂O₂、B₂O₃、B₄O₃、B₄O₅、KBO₂、NaBO₂、HBO₂、H₂B₄O₇、Na₂B₄O₇·10H₂O、 KB₅O₈·4H₂O、BN、BF₃、BCl₃和BBr₃组成的组中的至少一种化合物。