[发明专利]用于有机发光二极管显示装置的蚀刻剂组合物

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2008年9月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No.10-2008-0090485的权利，并以引用的方式将其整体并入本申请。

技术领域

本发明涉及一种用于有机发光二极管显示装置的蚀刻剂组合物，特别涉及 一种在有机发光二极管显示装置制造中使用的蚀刻剂组合物。

背景技术

有源矩阵液晶显示装置(AMLCD装置)由于其轻、薄、能耗低的优点而 广泛地应用于平板显示装置。然而，LCD本身不能发光，需要使用背光源， 因此LCD的视角狭窄。

近来，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示装置受到了公众广泛 地关注。由于AMOLED本身能够发光，不需要背光源，因此AMOLED显示 装置具有宽视角。此外，AMOLED显示装置与LCD装置相比更轻、更薄并且 能耗更低。

由于AMOLED显示装置使用小型化和高度集成化的驱动电路，其驱动电 路使用的导线需要制作得相对较细，因此相对增加了驱动电路的电阻。另一方 面，显示装置面积和分辨率的增大，要求驱动电路的电阻应该保持在一个相对 较低的水平。因此，需要使用低电阻的金属用于该驱动电路的导电层中。

铝(Al)由于其低电阻而可以用于形成电路的导电层。然而，铝在随后的 工艺中可能被腐蚀，进而形成小丘状突起。这些小丘状突起可能会导致其与其 它导电层之间的短路，并且可能通过接触氧化层而形成绝缘层。为了避免这样 的情况发生，可以在铝导电层的上、下表面形成缓冲层。缓冲层可以由金属钼、 钛、铬或它们的合金作为主成分来形成。在这些金属中，钛由于其优良的耐腐 蚀性能、坚固性和强度等而得到广泛的应用。

用于驱动电路的钛缓冲层可以进行干法蚀刻。但是，干法蚀刻工艺比湿法 蚀刻工艺需要更昂贵的设备，不能用于大的区域，并且成品率低。而湿法蚀刻 工艺可以高效地进行，其使用的设备便宜，也不需要高真空的条件，而且由于 湿法蚀刻工艺不会形成在干法蚀刻工艺中形成的微粒，所以其能够广泛应用。

用于湿法蚀刻钛层的蚀刻剂组合物包含过氧化氢。例如，韩国专利公开 No.2005-0000682公开了一种组合物，包含过氧化氢、过氧化氢稳定剂、氟离 子等。然而，由于使用含有过氧化氢的蚀刻剂而缩短了加工时间，降低了生产 率。

因此，有必要发展一种不含过氧化氢的蚀刻剂组合物，当其蚀刻包含选自 钛层、钛合金层、铝层和铝合金层中至少两层的双层结构和/或多层结构时， 可以获得加工余量、稳定性以及均一的蚀刻剖面。

发明内容

根据本发明的一个方面，本发明提供了一种蚀刻剂组合物，包括：

0.1-34wt％的过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)；

0.1-9wt％的硝酸基化合物；

0.1-10wt％的乙酸基化合物；

0.2-5wt％的含氟基化合物；

0.01-3wt％的含硼化合物；以及

39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。

附图说明

通过参照附图详细地描述典型实施方案，本发明上述及其他的特点和优势 将变得更加明显，其中：

图1为使用实施例1中制备的蚀刻剂蚀刻Ti/Al/Ti三层结构的电子显微镜 图像；

图2为使用对比例1中制备的蚀刻剂蚀刻Ti/Al/Ti三层结构的电子显微镜 图像；

图3为使用对比例2中制备的蚀刻剂蚀刻光刻胶/Ti/Al/Ti多层结构的电子 显微镜图像；

图4为使用对比例3中制备的蚀刻剂蚀刻Ti/Al/Ti三层结构的电子显微镜 图像；

图5为使用对比例4中制备的蚀刻剂蚀刻Ti/Al/Ti三层结构的电子显微镜 图像。

具体实施方式

下面，将参考说明本发明典型实施方案的附图对本发明进行更全面的阐 述。