[发明专利]光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法有效
申请号: | 200910205799.7 | 申请日: | 2009-09-22 |
公开(公告)号: | CN101684544A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 川口行雄;栗林勇 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/34;C22C21/00;C22C1/04;G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种光介质,其特征在于,包括:
基板;和
反射层,其设置在所述基板上,具有以Al为主成分、并含有1~ 10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag 的组成,
在所述反射层的成膜结束面一侧有光入射面,从该光入射面入射 读取用或写入用的激光束,
在所述反射层上还设置有至少具有2个反应层的记录层,在所述 反射层和所述记录层之间具有电介质层,在令所述电介质层的折射率 为n、所述电介质层的膜厚为d的情况下,为66<nd<76,膜厚d的 单位是nm。
2.如权利要求1所述的光介质,其特征在于:
一个所述反应层的构成元素和其它的所述反应层的构成元素通过 写入用的激光束的照射能够互相混合。
3.如权利要求1所述的光介质,其特征在于:
所述记录层具有第一反应层和第二反应层,该第一反应层以选自 Cu、Al、Zn和Ag中的1种元素为主成分,该第二反应层以选自Si、 Ge和Sn中的1种元素为主成分。
4.一种光介质的制造方法,其特征在于,所述光介质是如权利要 求1~3中的任一项所述的光介质,
所述光介质的制造方法包括:使用以Al为主成分、并含有1~10at %的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的光 介质用溅射靶,对反射层进行成膜的工序。
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