[发明专利]光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法有效
申请号: | 200910205799.7 | 申请日: | 2009-09-22 |
公开(公告)号: | CN101684544A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 川口行雄;栗林勇 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/34;C22C21/00;C22C1/04;G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介质 溅射 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光盘等光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法。
背景技术
已知有通过使用溅射靶的溅射在基板上形成反射层,进一步在该反射层上形成光记录层以及读取写入时透过光的透明覆盖层等而制造的光盘(例如,BD(蓝光光盘:Blu-ray disc)-ROM、BD-R、BD-RE等)、光卡等光介质。在这样的光介质中,如果反射层的溅射成膜结束面一侧的表面平滑性不高,则在受到激光束照射时无法得到良好的反射,这对于在反射膜上所形成的光记录层和透明覆盖层等的结构产生不良影响,例如,噪声特性等特性降低。特别是在记录层由第一和第二无机反应层形成,通过照射激光束混合第一和第二无机反应层而进行记录的光介质中,噪声特性等特性显著降低。
因此,作为能够制造光介质用的反射层的合适的溅射靶,在日本特开平4-099171号、日本特开平4-026757号公报中,公开了Al、以Al为主成分的Al合金。此外,在日本特开2002-015464号公报中,公开了使用热传导率高的银、以银为主成分的银合金的溅射靶和光介质。进一步,在日本特开2004-171631号公报中,公开了具有以Al为主成分的平滑性高的反射膜的光介质。
然而,关于在现有的光介质中使用至今的以Al为主成分的Al合金,反射层的成膜结束面一侧的表面平滑性不足,此外,银是一种昂贵的金属,不优选银反射层或以银为主成分的反射层,进一步希望银的量尽可能地少。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种以价格比较便宜的铝为主成分,并且表面平滑性优异的廉价的光介质用溅射靶 及其制造方法、和光介质及其制造方法。
本发明者进行了积极研究,发现使用以Al为主成分、且含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的溅射靶形成的反射层,具有优异的表面平滑性。
本发明的光介质用溅射靶具有以Al为主成分、并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的组成。
此外,本发明的光介质包括:基板和反射层,该反射层设置在上述基板上,且具有以Al为主成分、并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的组成。
此外,本发明的光介质的制造方法包括:使用以Al为主成分、并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的介质用溅射靶,对反射层进行成膜的工序。
进一步,本发明的光介质用溅射靶的制造方法包括:烧制具有以Al为主成分、并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的组成的原料粉体的工序。
此处,原料粉体优选为具有以Al为主成分、并含有1~10at%的选自Ta和Nb中的1种或2种元素、以及0.1~10at%的Ag的组成的合金的粉。
此外,优选在本发明的光介质中,在反射层上还设置有至少具有2个反应层的记录层,一个反应层的构成元素和其它反应层的构成元素通过写入用的激光束的照射能够互相混合。
具体而言,特别优选在反射层上还设置有具有第一反应层和第二反应层的记录层,该第一反应层以选自Cu、Al、Zn和Ag中的1种元素为主成分,该第二反应层以选自Si、Ge和Sn中的1种元素为主成分。
此外,优选在反射层和记录层之间具有电介质层,在令电介质层的折射率为n(-),电介质层的膜厚为d(nm)的情况下,为66<nd<76。
另外,在本说明书中,主成分是指最大原子比成分,at%是指原子百分比。
根据本发明,能够提供一种以价格比较便宜的铝为主成分,并且 表面平滑性优异的廉价的光介质用溅射靶及其制造方法、和光介质及其制造方法。
附图说明
图1是实施方式的光盘100的截面图。
图2是实施方式的光盘200的截面图。
图3是追记型的情况下的记录层的一例的截面图。
图4是表示实施例1、3,比较例1的光盘的噪声级(noise level)的频率特性的图表。
符号的说明
10 支承基板(基板)
20A、20B 反射层
24 记录层
24a、24b 反应层
100、200 光盘
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