[发明专利]铜膜的成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，交替进行向基板上供给含有Cu的原料物质的工 序；和停止供给所述含有Cu的原料物质后，向所述基板供给还原性气 体的工序，其中，具有：

将成膜初期供给还原性气体的时间作为第一时间T1，交替进行所 述两个工序的第一成膜期；和将所述还原性气体供给时间作为比所述 T1短的第二时间T2，在所述第一成膜期之后、交替进行所述两个工序 的第二成膜期。

2.一种成膜方法，将基板配置在处理容器内，反复进行以下(a)～ (d)的工序：

(a)向基板供给含有Cu的原料物质的工序；

(b)停止供给所述含有Cu的原料物质后，除去所述处理容器内 残留气体的工序；

(c)向基板供给还原性气体的工序；和

(d)停止供给所述还原性气体后，除去所述处理容器内残留气体 的工序，其中，具有：

将成膜初期供给还原性气体的时间作为第一时间T1，反复进行所 述(a)～(d)工序的第一成膜期；和将供给所述还原性气体的时间 作为比所述第一时间T1短的第二时间T2，在所述第一成膜期之后、 反复进行所述(a)～(d)工序的第二成膜期。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：所述(b)工序和 所述(d)工序，用惰性气体置换所述处理容器内的气体环境，或将所 述处理容器内真空排气。

4.如权利要求1或3所述的成膜方法，其特征在于：所述第一成膜 期直到在所述基板上形成的Cu，在该基板上形成连续膜为止；所述第 二成膜期直到在所述基板上形成的Cu膜厚度达到目的厚度为止。

5.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其特征在于：所述 第一时间T1为3～20秒，所述第二时间T2为1～5秒。

6.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其特征在于：向基 板上供给所述还原性气体时，利用等离子体游离基化。

7.如权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其特征在于：所述 还原性气体是H₂气体。