[发明专利]移送基板用托盘及具有该托盘的真空处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种移送基板用托盘及具有该托盘的真空处理装置，特别是 涉及一种用于蚀刻太阳能基板的移送基板用托盘及具有该托盘的真空处理装 置。

背景技术

近年来，用以替代化工石油燃料和核燃料的太阳能电池备受关注。太阳 能电池作为一种把太阳光直接转换成电能的半导体器件，具有p型半导体和 n型半导体的结合形态，其基本结构与二极管相同。制造这种太阳能电池的 过程中，为了防止照射到太阳能电池上的光被反射，以及为了增加照射面积， 还包括在太阳能电池硅基板的表面形成凹面的纹理处理工序。

硅基板的纹理处理方法，可包括湿式蚀刻法和干式蚀刻法等。其中， 湿式蚀刻法不需要另外的设备，量产时的工序管理比较方便，具有高效率的 优点，使用单晶硅基板的太阳能电池中使用比较广泛。但是，在加工多结晶 硅基板时，根据结晶面的方向性，蚀刻速度也不同，因此在基板上形成的凹 面也不规则，从而使多结晶硅太阳能电池的效率降低。为了改善上述问题， 在加工多结晶硅基板时，以使用反应性离子蚀刻装置的干式蚀刻法对基板的 表面进行纹理处理。

图1是表示现有的反应性离子蚀刻装置的剖面图；图2是沿图1中II -II线的剖面图。

如1及图2所示，反应性离子蚀刻装置100包括：设有排气管20的反 应器10；基板支撑台30；气体供给机构40；以及等离子发生器50。

在具有上述结构的反应性离子蚀刻装置100中，在用于移送基板的移 送基板用托盘31上放置多个太阳能基板1，然后把该移送基板用托盘31设 置在基板支撑台30上。在这种状态下，一边通过气体供给机构40向太阳能 基板1上供给氯气、氧气、六氟化硫气体等，一边向基板支撑台30施加射频 功率，以使在反应器10内产生等离子，从而太阳能电池基板1表面被蚀刻气 体蚀刻，在基板表面形成多个凹形纹样。另外，在上述工序中，通过排气管 20持续地排出反应副产物和未反应的蚀刻气体，使反应器10内的压力保持 一定程度。

如上所述的干式蚀刻法是利用蚀刻气体与基板之间发生的化学反应来实 现。为了在太阳能电池基板1上形成规则的凹状纹样，必须使等离子的浓度、 基板暴露在蚀刻气体中的程度，具体地说，基板个个点暴露在蚀刻气体中的 时间及蚀刻气体浓度等必须均匀。

但是，如图2所示，根据现有技术的离子反应蚀刻装置，在排出蚀刻气 体的过程中，因蚀刻气体流向蚀刻气体排气管20方向，所以离排气管20较 近的太阳能基板1部分被充分地暴露在蚀刻气体中，但是离排气管较远的部 分，特别是放置在基板移送基板用托盘31的边角部位A的太阳能基板没有能 充分地暴露在蚀刻气体中。因此，被放置在基板移送基板用托盘31的边角部 位A的太阳能基板不如放置在其他部位的部分蚀刻充分，从而使凹形纹样的 形成不够充分，其结果在太阳能电池基板上形成的凹形纹样均匀度不够理想。

另外，包含在蚀刻气体中的各种气体的移动速度因分子量的不同而有所 不同，所以在蚀刻气体流动的过程中包含在蚀刻气体中的各种气体的比例也 有可能多少有所不同。这种现象，因蚀刻气体的浓度及蚀刻气体流动形态等 的影响，特别是在基板移送基板用托盘31的边角部位A发生的概率比较大， 所以在该部位的蚀刻不同于其他部位，从而在太阳能电池基板上形成的凹形 纹样的均匀度下降。具体地说，在移送基板用托盘的边角A部位上，分子量 大的六氟化硫气体的浓度增大，分子量相对小的氧气和氯气等气体的浓度降 低。因此，在移送基板用托盘的边角A部位上因较高浓度的六氟化硫气体而 物理性的蚀刻进行的比较充分，而起到凹形化覆盖罩作用的蚀刻残留物的形 成没有中心部位多，所以凹形化进行的不够充分。亦即，虽然移送基板用托 盘的边角部位的蚀刻进行的比较充分，但是凹形化进行的不够充分。

另外，因在基板移送基板用托盘31上的不同位置蚀刻气体的浓度不 同，所以反应器内的等离子的浓度也随气体的分布及比例的不同而发生不均 匀的现象发生。

发明内容

本发明为了解决上述现有技术中存在的问题而做出，其目的在于提供一 种可均匀地蚀刻基板的移送基板用托盘和具备该托盘的真空处理装置。