[发明专利]偏转装置

说明书

本申请是2009年3月25日提交的，中国专利申请号为200910130618.9，发明名称为“带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及偏转装置，更为详细地说，涉及用于带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置的偏转装置。进一步详细地说，本发明涉及能够高准确度地校正因试样的带电效应导致的带电粒子束位置偏移的偏转装置。

背景技术

由于两次图案曝光技术的导入，因而人们要求光掩模的位置准确度的提高。与之相伴，一般要求光掩模内的图案配置准确度的提高，但是众所周知，当使用电子束描绘装置来描绘光掩模的图案时，因抗蚀剂带电效应而使射束照射位置产生偏移。

作为校正该射束照射位置偏移的方法之一，在抗蚀剂层上形成带电防止膜(CDL：Charge Dissipation Layer)来防止抗蚀剂表面带电的方法，已为众所周知。但是，该带电防止膜因为基本上具有酸的特性，所以和化学放大型抗蚀剂之间的相合性不佳。另外，为了形成带电防止膜需要设置新的设备，光掩模的制造成本进一步增大。因此，人们希望在不使用带电防止膜的状况下，进行带电效应校正(CEC：charging effect correction)。

例如，在下述专利文献1中，提出了一种根据电场强度来计算射束照射位置的校正量，并根据该校正量来照射射束的描绘装置。根据该描绘装置，假定为在照射量分布和带电量分布之间线性比例关系成立，从照射量分布通过线性响应函数来计算位置偏移量分布。

然而，根据本发明人的进一步研究，得知若假定为在照射量分布和位置偏移量分布之间线性比例关系成立，则无法以高准确度计算位置偏移量分布。因此，产生了建立新模型的必要性，该新模型不使用此线性比例关系，以高准确度求取位置偏移量分布。

专利文献1日本特开2007-324175号公报

发明内容

本发明的目的在于，鉴于上述课题，提供一种偏转装置，为了实现能够以高准确度计算因带电效应导致的射束位置偏移量分布的带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置，用于带电粒子束描绘方法及带电粒子束描绘装置，计算因试样的带电效应导致的带电粒子束的位置偏移量的分布，根据其分布进行偏转器的控制。

为了解决上述课题，本发明的第1方式所涉及的偏转装置的特征在于，具备：偏转器，使向载物台上的试样照射的带电粒子束偏转；位置偏移量分布计算构件，根据被照射了带电粒子束的照射区域的带电量分布、以及不被照射带电粒子束的非照射区域的带电量分布，计算试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布；以及偏转器控制构件，根据位置偏移量的分布，控制上述偏转器。

在上述第1方式中，也可以还具备：带电量分布计算构件，利用照射在试样上的带电粒子束的照射量分布、以及雾电子量分布，来计算照射区域及非照射区域的带电量分布。

在上述第1方式中，也可以还具备：雾电子量分布计算构件，根据照射量分布和从照射区域向非照射区域扩散的雾电子的扩散分布，计算雾电子量分布。

在上述第1方式中，也可以还具备：照射量分布计算构件，根据试样的每个规定区域的图案密度分布及剂量分布，计算照射量分布。

在上述第1方式中，也可以还具备：剂量分布计算构件，根据图案密度分布，计算剂量分布。

根据该第1方式，根据照射区域以及非照射区域的带电量分布，计算试样上的带电粒子束的位置偏移量的分布，根据该位置偏移的分布来控制偏转器，由此，能够高准确度地校正由带电效应导致的射束位置偏移。

附图说明

图1是本发明实施方式中电子束描绘装置100的概略结构图。

图2是表示图案描绘时试样2移动方向的附图。

图3A是说明根据本发明实施方式的描绘方法所用的流程图。

图3B是说明根据本发明实施方式的描绘方法所用的流程图。

图4是表示按照图案密度使剂量产生变化的情形和与图案密度无关而固定剂量的情形的附图。

图5是说明栅格匹配的流程所用的概略图。

图6是说明根据相对于本发明实施方式的比较例的位置偏移量分布的计算方法所用的附图。

图7是表示描述扩散分布的函数g′(x，y)的附图。

图8是表示为了计算响应函数所假定的模型的附图。

图9A是表示比较例的验证时所提供的1次阶梯函数的附图。

图9B是表示根据比较例求出的位置偏移量分布p(x)的附图。

图10是表示比较例的验证时求出的线性响应函数R1(x)和理想的响应函数R2(x)的附图。