[发明专利]交通工具、显示器和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一衬底上形成金属层和氧化物层的叠层；

在所述叠层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成非单晶半导体层；

用激光扫描所述非单晶半导体层，以便形成结晶半导体层；

对所述结晶半导体层进行构图，以便形成岛状形半导体层；

使用所述岛状形半导体层，形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成阴极和阳极其中之一，所述阴极和所述阳极的所述其中之一电连 接到所述薄膜晶体管；

在所述阴极和所述阳极的所述其中之一上形成发光层；

在所述发光层上形成所述阴极和所述阳极的其中另一个；

采用第一粘合剂将第二衬底粘接于所述发光层、所述阴极和所述阳极上；

通过物理装置在所述氧化物层的内部或其边界进行剥离来分离具有所述金属层的所 述第一衬底，以及

采用第二粘合剂将柔性第三衬底贴合于所述氧化物层，

其中所述薄膜晶体管的沟道长度方向与所述激光的扫描方向相对准。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属层和所述氧化物层通 过所述物理装置在所述氧化物层的所述内部或所述氧化物层的所述边界处分离。

3.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一衬底上形成金属层和氧化物层的叠层；

在所述氧化物层上形成包括薄膜晶体管的第一层，通过激光照射形成所述第一层中的 所述薄膜晶体管；

在所述第一衬底上形成包括发光元件的第二层，所述发光元件电连接到所述薄膜晶体 管；

通过沿着将被剥离的区域的周边进行部分激光照射或施加局部压力以便对所述氧化 物层的表面或一部分内部造成损伤，部分地减小所述金属层和所述氧化物层之间的粘附 力；

使用粘合剂将膜粘接于第二衬底；

使用第一粘合剂将具有所述膜的所述第二衬底与所述第二层粘接，其中所述第一层和 所述第二层介于所述第二衬底和所述第一衬底之间；

通过物理装置剥离所述第一衬底连同所述金属层，使得所述第二层、所述第一层和所 述氧化物层保留在所述第二衬底上；

使用第二粘合剂将柔性第三衬底贴合于所述氧化物层，其中，所述第一粘合剂和所述 第二粘合剂的每个具有大于所述粘合剂的粘附力；以及

将所述第二衬底与所述膜分离，

其中，所述薄膜晶体管的沟道长度方向与所述激光的扫描方向相对准。

4.根据权利要求1或3所述的制造半导体器件的方法，其中所述金属层包括从Ti，Al， Ta，W，Mo，Cu，Cr，Nd，Fe，Ni，Co，Ru，Rh，Pd，Os，Ir以及Pt中选取的至少一个元素。

5.根据权利要求1或3所述的制造半导体器件的方法，其中所述氧化物层包括氧化硅。